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J-GLOBAL ID：202202210727030455   整理番号：22A0796140

低ミラー指数β-Ga_2O_3単結晶で同定した角度分解偏光Raman応答の異方性【JST・京大機械翻訳】

Anisotropies of angle-resolved polarized Raman response identifying in low miller index β-Ga₂O₃ single crystal

著者 (8件)： Zhang Kun (State Key Laboratory of Precision Measuring Technology & Instruments, Laboratory of Micro/Nano Manufacturing Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Xu Zongwei (State Key Laboratory of Precision Measuring Technology & Instruments, Laboratory of Micro/Nano Manufacturing Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Zhao Junlei (Department of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China) ,  Wang Hong (State Key Laboratory of Separation Membranes and Membrane Processes, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300387, China) ,  Hao Jianmin (The 46th Research Institute, China Electronics Technology Group Corporation (CETC), Tianjin 300220, China) ,  Zhang Shengnan (The 46th Research Institute, China Electronics Technology Group Corporation (CETC), Tianjin 300220, China) ,  Cheng Hongjuan (The 46th Research Institute, China Electronics Technology Group Corporation (CETC), Tianjin 300220, China) ,  Dong Bing (State Key Laboratory of Precision Measuring Technology & Instruments, Laboratory of Micro/Nano Manufacturing Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 581  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単斜晶格子構造を有するベータ相酸化ガリウム(β-Ga_2O_3)は,世界における超ワイドバンドギャップ半導体の分野での研究ホットスポットであり,興味深い異方性特性を示す。ここでは,エッジ定義膜供給成長法を用いてβ-Ga_2O_3単結晶(SC)を合成し,異方性構造と振動特性を系統的に調べた。β-Ga_2O_3 SCの異方性を直線偏光励起下の角度分解偏光Raman分光法で明らかにし,異なる振動モードが強度の顕著な周期的変動を示した。異なる励起波長の検出において,Raman強度だけが著しい変化を示すだけでなく,Ramanモードの最も強い主ピークも顕著な差を示した。さらに,A_g(4),A_g(6),A_g(7),A_g(10),およびB_gモードのピーク強度の角度依存性は,異なる低Miller指数によっても影響を受ける。上記のすべての実験結果は,β-Ga_2O_3SCの非弾性光散乱過程の理解に有益である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単結晶 ,  *偏光 ,  励起 ,  結晶方位 ,  振動モード ,  β相 ,  酸化ガリウム ,  直線偏光 ,  単斜晶系 ,  ホットスポット ,  Raman分光法 ,  Raman強度
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  励起波長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： β-Ga_2O_3SC ,  角度分解偏光Raman分光法(ARPRS) ,  半導体材料 ,  結晶配向

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単結晶 ,  同定 ,  分解 ,  偏光 ,  応答 ,  異方性