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J-GLOBAL ID：202202210752283331   整理番号：22A0492427

内包フラーレンに基づくvan der Waalsヘテロ構造における強誘電体と光起電力【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectrics and photovoltaics in endohedral fullerenes-based van der Waals heterostructures

著者 (2件)： Li Jie (Department of Physics and Astronomy, University of California, Irvine, California 92697-4575, USA) ,  Wu Ruqian (Department of Physics and Astronomy, University of California, Irvine, California 92697-4575, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 2  ページ： 023301-023301-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算を用いて,一連のバイアス制御可能な内包フラーレン分子(TM@C_28,TM=Ti-Ni)の強誘電性,電子,および光学的性質を研究した。1つの重要な発見は,Cr@C_28が大きな電気双極子モーメントと適切なバンドギャップ(~1.2eV)を有することである。2つのグラフェンまたは遷移金属ジカルコゲン化物層間のCr@C_28分子のサンドイッチにより,ヘテロ構造は強い強誘電性と優れた光学的性質を結合できる。これは二次元van der Waals強誘電体-光起電力材料の開発の道を開く。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  光学的性質 ,  *光起電力 ,  強誘電性 ,  二次元 ,  バイアス ,  バンドギャップ ,  グラフェン
準シソーラス用語： *エンドヘドラルフラーレン ,  *ヘテロ構造 ,  電気双極子モーメント ,  密度汎関数計算 ,  遷移金属ダイカルコゲナイド ,  *van der Waalsヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 内包フラーレン ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  強誘電体 ,  光起電力