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J-GLOBAL ID：202202210813892432   整理番号：22A0456151

InAs/InP量子ドットの分極特性に対する励起状態遷移の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Excited States Transitions on Polarization Property of InAs/InP Quantum Dots

著者 (2件)： Huang Fujuan (Department of Electrical and Computer Engineering, Concordia University, Montre ́al, QC, Canada) ,  Zhang Xiupu (Department of Electrical and Computer Engineering, Concordia University, Montre ́al, QC, Canada)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 58  号： 1  ページ： ROMBUNNO.7100109.1-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己集合InAs/InGaAsP/InP量子ドット(QD)を集中的に調べ,そこでは偏光特性が半導体QD光増幅器のようないくつかのフォトニックデバイスにおける鍵となる性能指標であった。通常,従来の理論研究で予測され,実験的に検証された,大きな積層層数(SLN)を有する密に積層したQDの使用のような,増加した横方向磁気(TM)分極が,重い正孔(HH)-光-正孔(LH)混合の増加によって達成される。しかし,小さなSLNsを有する密に積層したQDにおける高いTM分極は,電流理論によって予測されなかったが,実験的に確認された。本研究では,歪,圧電性及びスピン-軌道相互作用を含む,小さなSLNsを有する密に積層したInAs/InGaAsP/InP QDを調べた。小さなSLNsを有する緊密に積層したInAs/InP QDにおける高いTM分極は,強い最初の励起状態遷移に起因し,従って,高いHH-LH混合よりむしろ,より多くのp型波動関数が関与していることがわかった。SLNの増加とともに,最初の励起状態遷移によるTM分極は減少したが,HH-LH混合により寄与した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  電流 ,  波動関数 ,  半導体 ,  *分極 ,  *励起 ,  *ヒ化インジウム ,  磁気 ,  *リン化インジウム ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  光増幅器 ,  *量子ドット ,  自己集合
準シソーラス用語： フォトニックデバイス ,  重い正孔 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  InP ,  量子ドット ,  分極 ,  励起 ,  状態遷移