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J-GLOBAL ID：202202211371990789   整理番号：22A0561803

第一原理研究からのJanusAsSBr単分子層の熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Thermoelectric properties of Janus AsSBr monolayer from first-principles study

著者 (6件)： Liu Min (College of Physics, Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University, Chengdu, 610065, China) ,  Chen Shao-Bo (College of Physics, Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University, Chengdu, 610065, China) ,  Chen Shao-Bo (College of Electronic and Information Engineering, Anshun University, Anshun, 561000, China) ,  Hu Cui-E (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, 400047, China) ,  Cheng Yan (College of Physics, Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University, Chengdu, 610065, China) ,  Geng Hua-Yun (National Key Laboratory for Shock Wave and Detonation Physics Research, Institute of Fluid Physics, CAEP, Mianyang, 621900, China)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 342  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子構造,格子熱伝導率,熱輸送特性および熱電性について,AsSBr単分子層のいくつかの特性を系統的に報告した。フォノン分散には虚数周波数はなく,AsSBr単分子層が動的に安定であることを示した。AsSBr単分子層は,PBEとHSE06レベルでそれぞれバンドギャップ1.47eVと2.07eVの間接バンドギャップ半導体であることが分かった。AsSBr単分子層の格子熱伝導率K_Lは300Kで1.34W/mKと計算された。より低い格子熱伝導率の起源を明らかにするために,群速度,散乱速度,およびGrueneisenパラメータγを議論した。計算した熱輸送特性と組み合わせて,300K~900Kの温度範囲でZT値を得た。900Kにおいて,p型AsSBr単分子層の最適ZT値は0.91であり,p型AsSBr単分子層が熱電分野で顕著な応用を有することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  熱伝導率 ,  半導体 ,  *単分子層 ,  群速度 ,  虚数 ,  Grueneisen定数 ,  フォノン分散 ,  第一原理
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  熱輸送 ,  格子熱伝導率 ,  散乱速度 ,  *熱電特性 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AsSBr単分子層 ,  熱伝導率 ,  熱電性能 ,  第一原理計算

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理 ,  研究 ,  単分子層 ,  熱電特性