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J-GLOBAL ID:202202211409653839   整理番号:22A0687622

太陽電池応用のためのZnTe薄膜の物理的性質に及ぼす真空アニーリングレベルの影響の解明【JST・京大機械翻訳】

Unveiling the impact of vacuum annealing levels on physical properties of ZnTe thin films for solar cell applications
著者 (7件):
資料名:
巻: 138  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1066A  ISSN: 1386-9477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高性能CdTe太陽電池は,ZnTeが適切な背面接触材料の1つとして見つかる背面接触問題に悩まされる。本研究は電子ビーム蒸着法を用いて堆積したZnTe膜の物理的性質に及ぼす真空アニーリングの影響を報告する。元の膜は,異なる真空レベルに対応して,200°Cで1時間真空アニーリングを受ける。10×10-3mbar,5×10-3mbarおよび1×10-3mbar。純粋および真空アニールしたZnTe膜は立方晶相の優先(200)および(111)反射を示した。ZnTe膜の直接光学エネルギーバンドギャップを2.58~2.76eVの範囲で達成した。すべての膜は本質的にオーム性であり,真空アニールしたZnTe膜のAFM画像は,表面粗さが真空レベルで変化する丘状のトポグラフィーを示した。このように,ZnTe膜の特性は種々の真空レベルでのポストアニーリング処理によってかなり影響された。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  半導体薄膜 

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