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J-GLOBAL ID：202202211489136033   整理番号：22A0566930

マルチフェロイックBaFe_10.2Sc_1.8O_19エピタキシャル薄膜の格子欠陥関連磁気および磁気容量特性【JST・京大機械翻訳】

Lattice defects related magnetic and magnetocapacitance properties of multiferroic BaFe_10.2Sc_1.8O₁₉ epitaxial thin films

著者 (10件)： Xu Sichen (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Soochow University, Suzhou 215006, PR China) ,  Zhu Qishan (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Soochow University, Suzhou 215006, PR China) ,  Liang Guoqing (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Soochow University, Suzhou 215006, PR China) ,  Zhang Jianmin (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Soochow University, Suzhou 215006, PR China) ,  Wang Han (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Wang Haiyan (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Zhao Run (School of Physical Science and Technology, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou 215003, PR China) ,  You Lu (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Soochow University, Suzhou 215006, PR China) ,  Su Xiaodong (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Soochow University, Suzhou 215006, PR China) ,  Tang Rujun (School of Physical Science and Technology, Jiangsu Key Laboratory of Thin Films, Soochow University, Suzhou 215006, PR China)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 210  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaFe_10.2Sc_1.8O_19(BFSO)エピタキシャル薄膜の結晶構造を変えることなく,その飽和磁化の著しい変調(75から180emu/ccまで),磁気異方性場(3590から1434Oe)およびマルチフェロイック秩序化温度(207から306Kまで)を,格子欠陥の異なる密度(DLD)で実現することができた。欠陥関連有効磁場H_effを定義した。H_effは焼なまし温度T_Aの増加と共に明らかに減少し,DLDの減少と良く一致した。BFSO膜の欠陥関連磁気秩序を磁気容量デバイスでさらに検証した。1000°Cアニールした膜の磁気容量は,蒸着したままの膜より5倍以上大きい。これは,DLD関連局所格子構造に対するBFSOにおける非共線円錐磁気構造とスピン-フォノン結合の超高感度により説明できる。上記の知見は,マルチフェロイックヘキサフェライトデバイスの物理的性質の調節における格子欠陥のより良い理解と利用を可能にする。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  結晶構造 ,  *格子欠陥 ,  磁気異方性 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  フェライト ,  フォノン ,  飽和磁化 ,  格子構造 ,  *磁気 ,  磁気構造 ,  磁気秩序
準シソーラス用語： ヘキサフェライト ,  *磁気容量 ,  焼きなまし温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヘキサフェライト ,  薄膜 ,  格子欠陥 ,  磁気 ,  磁気容量

分類 (5件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： マルチフェロイック ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  格子欠陥 ,  磁気 ,  磁気容量