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J-GLOBAL ID：202202211497955473   整理番号：22A0565255

垂直成長WS_2ナノフレーク薄膜の光応答特性【JST・京大機械翻訳】

Photoresponse properties of thin films of vertically grown WS₂ nanoflakes

著者 (3件)： Dam Siddhartha (UGC-DAE CSR, Kalpakkam Node (Affiliated to the University of Madras), Kokilamedu, Tamil Nadu 603104, India) ,  Saha Abhijit (UGC-DAE CSR, Kolkata Centre, Kolkata 700106, India) ,  Hussain Shamima (UGC-DAE CSR, Kalpakkam Node (Affiliated to the University of Madras), Kokilamedu, Tamil Nadu 603104, India)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 277  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビーム蒸着法により合成された二硫化タングステン(WS_2)/Silicon(Si)薄膜の光応答特性を報告した。合成した膜は六方晶WS_2の(001)方向に沿って優先配向を示した。合成した膜は,数層厚さの垂直成長ナノフレークから成っていた。膜は可視領域で高度に吸収され,吸収スペクトルにおいてA,B,およびC励起子遷移を示した。WS_2/Si間のタイプIIヘテロ接合を得た。光検出研究は,1.6mWcm-2の白色光の照射で1.17AW-1の高い応答性を与えた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  吸収スペクトル ,  *薄膜 ,  *応答特性 ,  白色光 ,  六方晶系 ,  光検出 ,  優先配向 ,  電子ビーム蒸着 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： 可視領域 ,  *ナノフレーク ,  二硫化タングステン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二硫化タングステン ,  光検出器 ,  ヘテロ接合 ,  X線光電子分光法 ,  Raman分光法

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  成長 ,  ナノフレーク ,  薄膜 ,  光応答