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J-GLOBAL ID：202202211640458630   整理番号：22A0475935

4H-SiC PIN接合ダイオードに基づく高性能アルファ-電圧電池【JST・京大機械翻訳】

High-performance alpha-voltaic cell based on a 4H-SiC PIN junction diode

著者 (17件)： Gao Runlong (School of Nuclear Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Liu Linyue (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Li Yang (Institute of College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 211106, China) ,  Shen Lvkang (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Wan Pengying (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Ouyang Xiao (Key Laboratory of Beam Technology of Ministry of Education, College of Nuclear Science and Technology, Beijing Normal University, Beijing 100875, China) ,  Zhang Haozhe (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Ruan Jinlu (School of Nuclear Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Ruan Jinlu (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Zhou Leidang (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Chen Liang (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Zhang Xianpeng (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Liu Jinliang (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Li Hui (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Liu Ming (School of Microelectronics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Ouyang Xiaoping (School of Nuclear Science and Technology, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Ouyang Xiaoping (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)
資料名： Energy Conversion and Management  (Energy Conversion and Management)
巻： 252  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0552A  ISSN： 0196-8904  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-voltaic細胞は,長い動作寿命,小さい体積,および優れた適応性のそれらの特性のために,軍事,生物医学,およびインフラストラクチャーアプリケーションにおいて大きな可能性がある。しかし,パワー変換効率(PCE)の改善と電力密度と安定性のバランスは,半導体デバイスへの放射損傷と同様に,エネルギー変換器とα発光同位体源の間のΔΨ不良整合のため,課題であった。本研究では,Heイオン静電加速器によって実験的に検証された4H-SiC PIN接合ダイオードエネルギー変換器(1cm2の活性領域)に基づく高性能アルファ電池セルの電気的性質を報告した。注目すべきことに,α-voltaic電池は0.88%の優れたPCEを示し,1.99Vの著しく高い開放電圧,13.64nA/cm2の短絡電流および16.78nW/cm2の最大出力電力密度で,以前の研究のα-voltaic電池と比較してほぼ7倍の増強を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  照射損傷 ,  *ダイオード ,  *電圧 ,  *電池 ,  発光 ,  ヘリウム ,  短絡電流 ,  *炭化ケイ素 ,  エネルギー変換 ,  *接合ダイオード ,  応用プログラム ,  静電加速器
準シソーラス用語： 電力密度 ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： アルファ-電圧電池 ,  4H-SiC PIN接合ダイオード ,  高出力変換効率

分類 (1件)： 太陽光発電  (NB03090G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  PIN接合 ,  ダイオード ,  高性能 ,  電池