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J-GLOBAL ID:202202211712947564   整理番号:22A0732549

ThO_2におけるイオン誘起損傷均一性のRamanおよび光ルミネセンス評価【JST・京大機械翻訳】

Raman and photoluminescence evaluation of ion-induced damage uniformity in ThO2
著者 (8件):
資料名:
巻: 515  ページ: 69-79  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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原子炉条件は,ThO_2のような潜在的燃料材料をイオンビーム放射に曝すことによって,部分的にエミュレートできる。次に,特性の変化は,材料が燃料としてどのように機能するかについて,貴重な洞察を提供することができる。ここでは,ThO_2の水熱成長単結晶を2MeV H+で照射し,結晶学的および電子的構造均一性と損傷範囲を調べた。μ-Raman分光法は,照射に直接曝露された結晶面への損傷が,T_2g構造ピークに関連して実質的に変化する照射誘起ピークの強度で不均一であることを示した。直交面の損傷はより均一であり,損傷深さプロファイルをRaman分光法で調べた。深さの関数としての損傷を,物質シミュレーションにおけるイオンの阻止範囲と比較した。光ルミネセンス分光法も用いて深さプロファイルを調べ,損傷の明確な兆候を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 

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