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J-GLOBAL ID：202202211817710263   整理番号：22A0554078

EBSDを用いたバルクYBCO超伝導体の残留応力/歪解析【JST・京大機械翻訳】

Residual Stress/Strain Analysis of Bulk YBCO Superconductors Using EBSD

著者 (2件)： Koblischka-Veneva Anjela (Experimental Physics Department, Saarland University, Saarbruecken, Germany) ,  Koblischka Michael R. (Experimental Physics Department, Saarland University, Saarbruecken, Germany)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 32  号： 4  ページ： ROMBUNNO.6800405.1-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクYBa_2Cu_3O_7-δ(Y-123)超伝導体のフラックスピン止めは,主にY_2BaCuO_5(Y-211)粒子である二次相粒子を用いて行われ,これは試料の成長中に生成し,さらに添加される。しかしながら,Y-211粒子の結晶学的パラメータはY-123のものに不整合を示し,Y-123マトリックス内にそのような粒子の周りに残留歪が存在する。ここでは,種々のY-123超伝導体試料(溶融集合組織,溶融成長および溶浸成長,YBCOフォームストラットおよび市販YBCO被覆導体)で得られた,電子後方散乱回折(EBSD)および透過Kikuchi回折(TKD)データの専用解析を行った。これにより,このような埋め込まれた二次相粒子の周りの歪分布をナノメータスケールまで明らかにすることができる。結果をカーネル平均ミスオリエンテーション(KAM)マッピングの形で示した。大きいY-211粒子とクラスタ周囲に,歪はY-123マトリックスにおける亜結晶粒さえ形成されるので大きい。応力/歪がフラックスピン止めの余分な源を供給できるので,磁束ピン止め特性に及ぼす歪分布の影響を論じた。従って,最良の超伝導性能を達成するためには,バルク試料中の粒度分布だけでなく,粒子サイズを適切に制御することが必須である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 回折 ,  *残留応力 ,  集合組織 ,  粒度分布 ,  亜結晶粒 ,  クラスタ ,  溶浸 ,  磁束ピン止め ,  パラメータ ,  ピン止め ,  *超伝導体 ,  歪分布 ,  残留歪
準シソーラス用語： ミスオリエンテーション ,  *EBSD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： EBSD ,  バルク ,  YBCO ,  超伝導体 ,  残留応力 ,  歪解析