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J-GLOBAL ID：202202211944336240   整理番号：22A0854480

SiGe BiCMOS技術における295~337GHz 2.5dBm Pサットカスコードベース周波数ダブラ【JST・京大機械翻訳】

A 295-337 GHz 2.5 dBm P_sat Cascode-Based Frequency Doubler in SiGe BiCMOS Technology

著者 (5件)： Breun Sascha (Institute for Electronics Engineering, Friedrich-Alexander University (FAU),Erlangen-Nuremberg,Germany) ,  Schrotz Albert-Marcel (Institute for Electronics Engineering, Friedrich-Alexander University (FAU),Erlangen-Nuremberg,Germany) ,  Dietz Marco (Institute for Electronics Engineering, Friedrich-Alexander University (FAU),Erlangen-Nuremberg,Germany) ,  Issakov Vadim (Technical University Braunschweig,Braunschweig,Germany) ,  Weigel Robert (Institute for Electronics Engineering, Friedrich-Alexander University (FAU),Erlangen-Nuremberg,Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： SiRF  ページ： 66-69  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,312GHzと42GHzのP_sat3dB帯域幅で2.5dBm飽和電力(P_sat)を達成する,295~337GHz高出力電力,カスコードベース周波数二重器を提示した。誘導利得増強を適用して,利用可能な技術のトランジット周波数を超える高い相互接続損失と低減利得性能を克服した。これは,カスコードトランジスタのベース端末間にインダクタンスを埋め込むことにより達成され,強い正のフィードバックを提供する。15dBのピーク変換利得を312GHzで達成し,最大出力パワーでの動作で7.5dB以上を維持した。チップは,250GHz/370GHzのf_t/f_maxを有する130nmSiGe BiCMOS技術を用いて製作され,3.3Vと3.65V電源から535mWを消費し,それは0.3%の最先端のドレイン効率に対応する。著者の知る限りでは,2.5dBmの電力は,これまでSiGe HBT技術におけるカスコードベースの周波数二重器の中で報告された最高である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  トランジスタ ,  電力 ,  *基本振動数 ,  端末装置 ,  利得 ,  帯域幅 ,  *BiCMOS
準シソーラス用語： 変換利得 ,  *カスコード ,  出力電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiGe ,  BiCMOS ,  ダブラ