文献
J-GLOBAL ID:202202211985855406   整理番号:22A0442467

マイクロエレクトロニクス応用のための窒化ホウ素ナノプレート/窒化ホウ素フレークの導波集合による柔軟で準等方性の熱伝導性ポリイミド膜【JST・京大機械翻訳】

Flexible and quasi-isotropically thermoconductive polyimide films by guided assembly of boron nitride nanoplate/boron nitride flakes for microelectronic application
著者 (11件):
資料名:
巻: 431  号: P4  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0723A  ISSN: 1385-8947  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
現在,ポリイミド(PI)系材料の応用は,高い熱伝導率,良好な柔軟性,高い熱安定性,低い誘電率,損失などの相互の付加的特性,すなわち,純粋なPIの熱伝導率,熱安定性,電気伝導率,誘電特性,形状記憶性能を効果的に改良できるドーパミン修飾六方晶窒化ホウ素フレークとナノ粒子(PDA-BNF@BNNP)の合理的な集合による,よく整列した階層的「煉瓦とプランク」構造を要求する。垂直に配列したh-BNNPと水平に配列したh-BNFsの交互積層は,垂直配列h-BNNPと水平に配列したh-BNFsによって可能になった垂直と水平フォノン散乱のため,6.43W/(mK)の高い面内熱伝導率と11.85W/(mK)の面内熱伝導率を有するPI膜の準等方性熱伝導率をもたらした。また,この特殊な構造は,PI膜を560°C以上の高い熱安定性,1.40×10-13Ωcm以上の顕著な電気抵抗,および高周波数で0.02以下の低い誘電損失をもたらした。さらに,PDA-BNF@BNNP/PI膜は優れた柔軟性と形状記憶性能を示し,純粋なPI膜に比べて50%以上の回復応答時間を示した。容易でスケーラブルな作製プロセスと組み合わせたこれらの優れた特性は,PDA-BNF@BNNP/PI膜を,特に高い熱伝導率と低い誘電損失を必要とするフレキシブル電子デバイスまたは回路において,多様な電子デバイス応用において非常に有望である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
合成鉱物  ,  燃料電池  ,  炭素とその化合物  ,  下水,廃水の物理的処理  ,  その他の高分子材料 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです

前のページに戻る