文献

J-GLOBAL ID：202202212004045154   整理番号：22A0685098

効率的なCO検出のためのSnO_2-In_2O_3ナノ複合材料中のIn3+ドーピングによる酸素欠陥とFermi準位の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the oxygen defects and Fermi levels via In³⁺ doping in SnO₂-In₂O₃ nanocomposite for efficient CO detection

著者 (2件)： Meng Fan-Jian (State Key Laboratory of Advanced Metallurgy and School of Metallurgical and Ecological Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) ,  Guo Xing-Min (State Key Laboratory of Advanced Metallurgy and School of Metallurgical and Ecological Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 357  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,In3+ドーピングSnO_2-In_2O_3ナノ複合材料を,ゾル-ゲル法と研削-アニーリング法により成功裏に合成した。ナノ複合材料の構造と形態をXRD,FESEMおよびTEMによって特性化した。SnO_2-In_2O_3ナノ複合材料は,元のSnO_2とSnO_2-In_2O_3ナノ複合材料に比べて優れたガス検知性能を示した。これらの材料の中で,8mol%In3+ドーピングSnO_2-In_2O_3ナノ複合材料(40ISI_0.08O,Sn_0.92In_0.08O_2対In_2O_3のモル比は3:1)は,より高いベースライン抵抗,最高の応答値および速い応答速度を示した。特に,40ISI_0.08Oの応答値は1000ppmCOに対して9に達し,これは元のSnO_2のそれより3.2倍高く,応答時間は15sであった。XPS,UV-Vis DRS,室温PLスペクトルおよびBET試験結果に基づいて,可能なガス検知機構を説明した。In3+ドーピング修飾により,Sn_0.92In_0.08O_2(SI_0.08O)のバンドギャップは狭くなり,Fermi準位は価電子帯に向かって0.33eVシフトした。40ISI_0.08Oの優れたガス検知特性は,主に,より多くの酸素欠陥の導入の相乗効果,Fermi準位の変調,およびSI_0.08Oの大きな比表面積に起因した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  応答 ,  研削 ,  X線回折分析 ,  相乗作用 ,  *Fermi準位 ,  *ドーピング ,  価電子バンド ,  室温 ,  ゾル-ゲル法 ,  シミュレーテッドアニーリング ,  バンドギャップ ,  モル比
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  *酸素欠陥 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： In3+ドーピング改質 ,  SnO_2-In_2O_3ナノ複合材料 ,  酸素欠陥 ,  Fermi準位変調 ,  CO検出

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： CO ,  ナノ複合材料 ,  ドーピング ,  酸素欠陥 ,  Fermi準位