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J-GLOBAL ID：202202212154335478   整理番号：22A1047581

SF_6分解種に対する革新的なガス検出器としてのAg修飾六方晶GaN単分子層:第一原理計算からの洞察【JST・京大機械翻訳】

Ag-modified hexagonal GaN monolayer as an innovative gas detector toward SF₆ decomposed species: Insights from the first-principles computations

著者 (6件)： Li Zhihui (College of Engineering and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Jia Lufen (College of Engineering and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Chen Jianxing (College of Engineering and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Cui Xiaosen (College of Engineering and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China) ,  Zeng Wen (College of Materials Science and Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China) ,  Zhou Qu (College of Engineering and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 589  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SF_6絶縁装置の放電中に生成したSF_6分解種は,放電故障のタイプと重症度との対応関係を有した。DFTに基づいて,SF_6分解ガスSO_2,SOF_2,SO_2F_2およびHFを検出および診断するために,本研究では,優れたAgドーピングサイトがN原子上にある元のGaN単層およびAg修飾六方晶GaN単分子層を系統的に解析した。特に,吸着構造,吸着エネルギー,電荷移動及び変形電荷密度,全及び部分状態密度,分子軌道,多様な電気伝導率及び回復時間を詳細に調べ,全吸着プロセスの内部機構を解明した。同時に,Ag-GaN単分子層はSO_2,SOF_2およびSO_2F_2ガスに対して強い化学反応を有するが,HFガスに対する反応は逆であった。センサファミリーの展望から,Ag-GaN単分子層はSOF_2,SO_2F_2およびSO_2のガス感受性分野での応用の可能性を有すると結論できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  電気伝導率 ,  表面構造 ,  放電 ,  故障 ,  化学反応 ,  *銀 ,  *単分子層 ,  *六方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  分子軌道 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  吸着構造 ,  *第一原理計算 ,  部分状態密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SF_6分解ガス ,  第一原理 ,  Ag-GaN単分子層 ,  ガス吸着

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (9件)： 分解 ,  ガス検出器 ,  Ag ,  修飾 ,  六方晶 ,  GaN ,  単分子層 ,  第一原理計算 ,  洞察