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J-GLOBAL ID：202202212184441556   整理番号：22A0728649

インクジェット印刷薄膜トランジスタの電気特性に及ぼす流体挙動の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Fluid Behavior on the Electrical Characteristics of Inkjet-Printed Thin-Film Transistors

著者 (3件)： Park Won-Tae (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, ON, Canada) ,  Wong William S. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Waterloo, ON, Canada) ,  Wong William S. (Waterloo Institute for Nanotechnology, University of Waterloo, ON, Canada)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 2  ページ： 614-621  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インクジェットプリント有機電界効果トランジスタ(OFET)のキャリア輸送特性を制御する方法を,液体の印刷体積内の濃度勾配を創出することにより開発した。ジェット液滴の精密で系統的な空間操作によって確立された勾配を用いて,OFETのキャリア輸送特性を改善するために,ポリ-(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル(P3HT)の膜形成を制御した。内部横方向フラックスの導入は形成したP3HT膜の分子配列に影響した。このアラインメントは,デバイスの電流方向に平行に固定できた。得られた印刷P3HTベースのトランジスタは,0.022cm2/V・sの抽出された電界効果移動度を持ち,横方向フラックスなしで印刷されたデバイスと比較して7倍の増強であった。印刷デバイスのオフ電流は,公称閾値電圧<5Vで1×10-8から2×10-11Aの範囲であった。簡単な幾何学的モデルを開発し,ジェット液滴の配置の制御とデバイス面積上の液体体積を乾燥プロセス中の膜形成にいかに影響するかを記述した。このモデルを用いて,臨界印刷パラメータを薄膜構造プロファイルと観測したデバイス性能に予測し,相関させた。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アラインメント ,  液滴 ,  キャリア移動度 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  *薄膜 ,  有機半導体 ,  *印刷 ,  *薄膜トランジスタ ,  *電気特性 ,  *インクジェット印刷
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  電界効果移動度 ,  有機FET ,  薄膜形成 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 有機薄膜トランジスタ(OTFT) ,  有機半導体 ,  電荷輸送 ,  印刷エレクトロニクス ,  高分子フィルム ,  コーヒーリング効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： インクジェット印刷 ,  薄膜トランジスタ ,  電気特性 ,  流体挙動