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J-GLOBAL ID：202202212221475734   整理番号：22A0322350

NO除去のためのg-C_3N_4と結合した酸素空孔を有するBi_2WO_6量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Bi₂WO₆ quantum dots with oxygen vacancies combined with g-C₃N₄ for NO removal

著者 (7件)： Cheng Cheng (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Chen Dongyun (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Li Najun (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Li Hua (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Xu Qingfeng (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  He Jinhui (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Lu Jianmei (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, Suzhou 215123, PR China)
資料名： Journal of Colloid and Interface Science  (Journal of Colloid and Interface Science)
巻： 609  ページ： 447-455  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0279A  ISSN： 0021-9797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体材料は,光触媒劣化のために有用であることが発見されたので,光触媒分解のために使用されてきた。光触媒分解の効率を改善するために多くの研究が研究されている。それらの中で,光触媒効率を改善するための空孔の導入は,より実現可能な方法であることが検証された。本研究では,2D-0D g-C_3N_4/Bi_2WO_6-OV複合触媒を調製するために,2次元(2D)グラファイト窒化炭素(g-C_3N_4)ナノシートを酸素含有空孔ゼロ次元(0D)Bi_2WO_6(BWO-OV)量子ドットと組み合わせた。酸素空孔を含むBi_2WO_6の使用は光の吸収を促進し,光生成キャリアの生成を増加させた。さらに,ヘテロ接合の形成およびBi_2WO_6の空格子点構造は光生成キャリアの寿命を促進し,触媒の触媒効果を改善する。この構造は,室温で一酸化窒素(NO)の低濃度(0.5ppm)を除去する高効率を示す。複合触媒の効率は,g-C_3N_4またはBWO-OVよりはるかに高く,酸素空孔のない複合材料g-C_3N_4/Bi_2WO_6よりも良好であった。NO除去に適用した場合,複合g-C_3N_4/Bi_2WO_6-OV-10は最高61.2%の最良の触媒活性を示した。同時に,5サイクルの実験は,材料が優れた安定性を有することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *空格子点 ,  光生成 ,  触媒 ,  窒化物 ,  グラファイト ,  触媒活性 ,  接触分解 ,  キャリア ,  炭素化合物 ,  二次元 ,  光触媒反応 ,  光触媒 ,  *量子ドット ,  ナノシート
準シソーラス用語： 窒化炭素 ,  *酸素空格子点 ,  光触媒分解 ,  複合触媒 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ヘテロ接合 ,  NO除去 ,  酸素空孔

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (3件)： NO ,  酸素空孔 ,  量子ドット