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J-GLOBAL ID：202202212252527745   整理番号：22A0862013

高エネルギー貯蔵密度のためのエピタキシャル(111)配向BTO膜により層間化した2-2型PVDFベース複合材料【JST・京大機械翻訳】

2-2 Type PVDF-Based Composites Interlayered by Epitaxial (111)-Oriented BTO Films for High Energy Storage Density

著者 (8件)： Wang Tian (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Peng Ren-Ci (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Peng Wanjun (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Dong Guohua (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Zhou Chao (MOE Key Laboratory for Nonequilibrium Synthesis and Modulation of Condensed Matter, School of Physics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Yang Sen (MOE Key Laboratory for Nonequilibrium Synthesis and Modulation of Condensed Matter, School of Physics, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Zhou Ziyao (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China) ,  Liu Ming (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 32  号： 10  ページ： e2108496  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機ナノシートを充填した急速充電/放電高分子ベース複合材料は,広範な注目を引きつけ,充填剤の凝集と伝導障壁の形成のため,高いエネルギー貯蔵密度(U)を達成するより効率的な方法を提供した。しかし,導電性経路は,マイクロメータサイズのナノシートを回避することにより面外方向に沿って拡張する機会を持つ。ここでは,優れたエピタキシャル性と強誘電性を有する大型(111)配向BaTiO_3(BTO)膜を,最適移動とホットプレスプロセスを用いてポリ(フッ化ビニリデン)(PVDF)に埋め込んだ。2層BTO(各層の約0.2μm厚)によって層間化された2D-2D(2-2)型BTO/PVDF複合材料は,690MVm-1で20.7Jcm-3の最高Uを示し,これは純PVDFの222.6%であった。フェーズフィールドシミュレーションは,外層としての高抵抗PVDF膜が,電極からの電荷注入を防止でき,内部層としての高誘電体BTO膜が,層間の界面を横切る移動電荷を効果的に抑制でき,破壊強度の著しい改善をもたらすことを明らかにした。本研究は,先進エネルギー貯蔵材料および用途のための無機/有機複合材料のUを強化するためのスケーラブルなアプローチを提唱する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  界面 ,  電荷 ,  放電 ,  誘電体 ,  ホットプレス ,  強誘電性 ,  高分子 ,  二次元 ,  破壊強さ ,  キャリア注入 ,  *インターカレーション ,  導電性 ,  ナノシート

著者キーワード (3件)： 複合材料 ,  エネルギー貯蔵密度 ,  自立酸化物

分類 (3件)： 静電機器  (NB10020R) ,  エネルギー貯蔵  (LC02000F) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (7件)： エネルギー貯蔵 ,  密度 ,  エピタキシャル ,  配向 ,  層間化 ,  PVDF ,  複合材料