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J-GLOBAL ID：202202212316320971   整理番号：22A0727430

新しいインジウムドープCdS戦略による高効率溶液処理Cu(In,Ga)(S,Se)_2太陽電池のための界面工学【JST・京大機械翻訳】

Interface Engineering for High-Efficiency Solution-Processed Cu(In,Ga)(S,Se)₂ Solar Cells via a Novel Indium-Doped CdS Strategy

著者 (10件)： Chang Qianqian (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Yuan Shengjie (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Fu Junjie (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Gao Qianqian (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Zhao Yunhai (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Xu Zhen (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Kou Dongxing (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Zhou Zhengji (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Zhou Wenhui (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China) ,  Wu Sixin (Key Laboratory for Special Functional Materials of MOE, National & Local Joint Engineering Research Centre for High-efficiency Display and Lighting Technology, School of Materials, Collaborative Innovation Centre of Nano Functional Materials and Applications, Henan University, China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 4  ページ： 5149-5158  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学浴析出(CBD)による硫化カドミウム(CdS)のインジウムドーピングはCIGSSe効率を高めるための効率的な戦略である。しかし,In_2S_3の極めて低い溶解度によって制限されて,従来のCBDプロセスを通して,CdSのInドーピング量を増加させ,バンドエネルギーレベル調節を阻害するのは難しい。本研究では,インジウムドープCdS(In:CdS)バッファを調製するための新しいCBD法を実行し,そこではインジウム源を成長水溶液中に逐次的に添加する。このプロセスでは,実時間堆積に含まれるInイオン濃度は著しく減少した。このように,高いインジウムドーピング量を有するコンパクトで均一なIn:CdSが得られた。インジウムドーピングはCdS伝導バンド端を上昇させ,CIGSSe吸収体とより好ましいスパイクバンド配列を構築することができる。さらに,効率的なキャリア輸送と減少した界面欠陥密度を導入した。その結果,In:CdSを利用してCIGSSeヘテロ接合品質の改善を実現した。また,緩衝液としてIn:CdSを用いた溶液処理CIGSSeデバイスは,670mVの高いV_OCと75.3%のFFで16.4%の高い効率をもたらした。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *界面 ,  効率 ,  析出 ,  *太陽電池 ,  溶解度 ,  *処理 ,  *インジウム ,  *硫化カドミウム ,  伝導バンド ,  ドーピング ,  吸収体 ,  イオン濃度
準シソーラス用語： *高効率 ,  キャリア輸送 ,  化学浴析出 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cu(InGa)(SSe)_2 ,  In:CdS ,  太陽電池 ,  新しい化学浴堆積 ,  溶液処理法

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (12件)： インジウム ,  ドープ ,  CdS ,  戦略 ,  高効率 ,  溶液処理 ,  Cu ,  Ga ,  Se ,  太陽電池 ,  界面 ,  工学