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J-GLOBAL ID：202202212358297375   整理番号：22A0640382

非歪自己集合GaAs量子ドットの静電景観のイメージング【JST・京大機械翻訳】

Imaging the electrostatic landscape of unstrained self-assemble GaAs quantum dots

著者 (10件)： Martin Lanzoni Evandro (Sao Paulo State University (UNESP), Institute of Science and Technology, 18087-180 Sorocaba, Brazil) ,  Martin Lanzoni Evandro (Brazilian Nanotechnology National Laboratory (LNNano), Brazilian Center for Research in Energy and Materials (CNPEM), 13083-970 Campinas, Brazil) ,  Martin Lanzoni Evandro (University of Luxembourg, Physics and Materials Science Research Unit, 1511 Luxembourg, Luxembourg) ,  Covre da Silva Saimon F (Brazilian Nanotechnology National Laboratory (LNNano), Brazilian Center for Research in Energy and Materials (CNPEM), 13083-970 Campinas, Brazil) ,  Covre da Silva Saimon F (Universidade Federal de Vicosa (UFV), Departamento de Fisica, 36570-000 Vicosa, Brasil) ,  Knopper Matthijn Floris (Eindhoven University of Technology (TU/e), Department of Applied Physics, 5600 Eindhoven,The Netherland) ,  Garcia Ailton J (Brazilian Nanotechnology National Laboratory (LNNano), Brazilian Center for Research in Energy and Materials (CNPEM), 13083-970 Campinas, Brazil) ,  Garcia Ailton J (Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica ‘Gleb Wataghin’, 13083-859 Campinas, Brazil) ,  Costa Carlos Alberto Rodrigues (Brazilian Nanotechnology National Laboratory (LNNano), Brazilian Center for Research in Energy and Materials (CNPEM), 13083-970 Campinas, Brazil) ,  Deneke Christoph (Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica ‘Gleb Wataghin’, 13083-859 Campinas, Brazil)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 16  ページ： 165701 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪みのないGaAs量子ドットは,それらの光学特性のために量子情報デバイスのための有望な候補であるが,それらの電子特性はこれまで比較的未調査のままである。本研究では,Kelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)を用いて,室温でのGaAs量子ドットの電子構造と自然充電を系統的に研究した。これらの構造から明確な電気信号を観測し,ドットの中央でより低い表面電位を示した。著者らは,これらの構造内の電荷蓄積と閉じ込めを記した。この系統的研究は,表面電位の変化が2nmの名目上のドット充填でより大きく,厚いGaAs層に対して減少し始めることを明らかにした。k・p計算を用いて,閉込めが表面Fermi準位ピン止めによるバンド曲がりから来ることを示した。計算した電荷密度とKPFM信号との相関を見出し,k_p計算が与えられた構造に対するKPFM信号の推定に使用できることを示した。これらの結果は,これらの自己集合構造がCoulomb遮断またはKondo効果のような荷電量子ドットに接続された物理現象を研究するために使用できることを示唆する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  バンド構造 ,  帯電 ,  電荷 ,  電子構造 ,  密度 ,  表面電位 ,  *ヒ化ガリウム ,  Fermi準位 ,  *画像処理 ,  充電 ,  電気信号 ,  ピン止め ,  *量子ドット ,  *自己集合
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  バンド曲がり , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪 ,  自己集合 ,  GaAs ,  量子ドット ,  景観 ,  イメージング