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J-GLOBAL ID：202202212397332806   整理番号：22A0792591

Ti過剰ドープSiフォトダイオードをRulingする光電子機構【JST・京大機械翻訳】

On the Optoelectronic Mechanisms Ruling Ti-hyperdoped Si Photodiodes

著者 (11件)： Garcia-Hemme Eric (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  Caudevilla Daniel (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  Algaidy Sari (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  Perez-Zenteno Francisco (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  Garcia-Hernansanz Rodrigo (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  Olea Javier (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  Pastor David (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  del Prado Alvaro (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  San Andres Enrique (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  Martil Ignacio (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain) ,  Gonzalez-Diaz German (Dpto. de Estructura de la Materia, Fisica Termica y Electronica, Univ. Complutense de Madrid, Madrid, 28040, Spain)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 8  号： 2  ページ： e2100788  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,超ドーピングベースの光デバイスを破る光電子機構の理解を深め,室温赤外光検出技術のための完全に相補的な金属酸化物半導体互換材料としてのTi超ドープSiの可能性を示した。イオン注入とレーザベース法の組み合わせによって,約20nmの薄い高ドープ単結晶Si層が1020cm-3の高いTi濃度で得られた。Ti過剰ドープSi/p-Siフォトダイオードは,509の±1Vで室温整流因子を示した。温度依存電流-電圧特性の解析は,輸送が2つの機構により支配されることを示した:低バイアスでのトンネル機構と高バイアスでの空間電荷領域での再結合過程。2.5μm波長に広がる室温サブバンドギャップ外部量子効率(EQE)を得た。温度依存スペクトル光応答挙動は,温度が低下するにつれてEQEの増加を明らかにし,0.45eVで低エネルギー光応答エッジを示し,0.67eVで高エネルギー光応答エッジを示した。開回路電圧の温度挙動は高エネルギー光応答エッジと相関する。不純物バンドを含むサブバンドギャップ光学遷移に対する光電子機構を関連づけるモデルを提案した。このモデルは,SCAPSソフトウェアを用いた数値半導体デバイスシミュレーションにより支持された。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結合 ,  赤外線 ,  *フォトダイオード ,  *チタン ,  イオン注入 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  *ドーピング ,  スペクトル ,  整流 ,  室温 ,  *光電子
準シソーラス用語： 光応答 ,  デバイスシミュレーション ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： イオン注入 ,  外部量子効率 ,  フォトダイオード ,  パルスレーザ融解 ,  輸送機構

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  ドープ ,  Si ,  フォトダイオード ,  光電子