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J-GLOBAL ID：202202212440749480   整理番号：22A0905465

自己支持,単結晶SiC箔におけるkeVエネルギーでのHおよびHeイオンによるエネルギー堆積【JST・京大機械翻訳】

Energy deposition by H and He ions at keV energies in self-supporting, single crystalline SiC foils

著者 (3件)： Ntemou Eleni (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, 751 20, Uppsala, Sweden) ,  Holenak Radek (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, 751 20, Uppsala, Sweden) ,  Primetzhofer Daniel (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, 751 20, Uppsala, Sweden)
資料名： Radiation Physics and Chemistry  (Radiation Physics and Chemistry)
巻： 194  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0627A  ISSN： 0969-806X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC中のHおよびHeイオンの比エネルギー析出をランダムおよびチャネリング方位の両方に対して研究した。実験を,Uppsala大学の350keV Danfysik Informerの飛行時間中エネルギーイオン散乱システムを用いて,透過形状で行った。ターゲットは200nmの公称厚さを有する自己支持,単結晶立方3C-SiC(100)箔であった。測定した阻止断面積を,文献と理論予測から得られたデータと比較した。ランダム形状に対する結果は,H投射物体に対してSRIMによって予測された値よりもわずかに低い値を示し,一方,He投射物体に対しては,研究した全エネルギー範囲にわたって良好な一致が観察された。全測定エネルギーおよびHとHeイオンの両方に対して,チャネリング形状と比較してランダム軌跡に沿ってより高い比エネルギー損失を観測した。しかし,Hイオンでは,差異は小さいが,Heイオンでは,それらは一般により顕著である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  エネルギー損失 ,  *単結晶 ,  断面積 ,  チャネリング ,  陽子 ,  *ヘリウム ,  *炭化ケイ素 ,  投射物体 ,  形態 ,  イオン散乱 ,  全エネルギー
準シソーラス用語： 飛行時間 ,  比エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 炭化ケイ素(SiC) ,  keVイオン ,  伝送 ,  電子阻止断面積

分類 (1件)： 放射線化学反応  (CB09020M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己 ,  支持 ,  箔 ,  エネルギー ,  He ,  イオン ,  堆積