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J-GLOBAL ID：202202212488319515   整理番号：22A0450011

偏光解析法によるSnSの方位角依存誘電関数【JST・京大機械翻訳】

Azimuthal angle dependent dielectric function of SnS by ellipsometry

著者 (9件)： Nguyen Xuan Au (Department of Physics, Kyung Hee University, Seoul, Republic of Korea) ,  Jung Yong Woo (Ichon DRAM Metrology & Inspection Team, SK hynix, Ichon, Republic of Korea) ,  Kim Young Dong (Department of Physics, Kyung Hee University, Seoul, Republic of Korea) ,  Van Le Long (Department of Physics, Kyung Hee University, Seoul, Republic of Korea) ,  Van Le Long (Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, Hanoi, Vietnam) ,  Nguyen Hoang Tung (Department of Physics, Kyung Hee University, Seoul, Republic of Korea) ,  Nguyen Hoang Tung (Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, Hanoi, Vietnam) ,  Kim Tae Jung (Department of Physics, Kyung Hee University, Seoul, Republic of Korea) ,  Kim Tae Jung (Center for Converging Humanities, Kyung Hee University, Seoul, Republic of Korea)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 80  号： 1  ページ： 59-62  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-SnSは光学的に強い異方性特性を持つので,その結晶方位を決定する簡単な方法はデバイス工学において強く必要である。本報告では,完全な方位角範囲を有する1-5eVスペクトル領域におけるα-SnSの誘電関数ε=ε_1+iε_2を測定して,測定した誘電関数値とα-SnS結晶軸の配向の間の単純な関係を見つけることができた。したがって,デバイス製造プロセスの間,デバイスの最良の性能のための好ましい方向に沿ってSnSを正確に配向するために,デバイスのα-SnS領域の誘電応答を迅速に測定するために,分光偏光解析法を用いることができる。また,臨界点(CP)解析の方位角依存性解析を行い,CPエネルギーの位置は基本的に不変であるが,振幅と線形状は方位角に強く依存することを示した。Copyright The Korean Physical Society 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  単結晶 ,  結晶方位 ,  方位角 ,  臨界点 ,  スペクトル ,  線形性 ,  *偏光解析法 ,  *誘電関数 ,  角度依存性 ,  生産工程
準シソーラス用語： 誘電応答 ,  分光偏光解析法 ,  デバイス工学 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： 単結晶α-SnS ,  分光偏光解析法

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 偏光解析法 ,  SNS ,  方位角 ,  誘電関数