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J-GLOBAL ID：202202212506582276   整理番号：22A0160306

モノおよび少数層MoS_2のRamanスペクトルに及ぼす非調和性と層間相互作用の影響:計算研究【JST・京大機械翻訳】

Influence of anharmonicity and interlayer interaction on Raman spectra in mono- and few-layer MoS₂: A computational study

著者 (14件)： Romaniuk Yurii A. (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, 518060, Shenzhen, PR China) ,  Romaniuk Yurii A. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 03028, Kyiv, Ukraine) ,  Golovynskyi Sergii (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, 518060, Shenzhen, PR China) ,  Litvinchuk Alexander P. (Texas Center for Superconductivity and Department of Physics, University of Houston, Houston, TX, 77204-5002, United States) ,  Dong Dan (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, 518060, Shenzhen, PR China) ,  Lin Yan (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, 518060, Shenzhen, PR China) ,  Datsenko Oleksandr I. (Physics Faculty, Taras Shevchenko National University of Kyiv, 01601, Kyiv, Ukraine) ,  Bosi Matteo (Institute of Materials for Electronics and Magnetism, IMEM-CNR, I-43124, Parma, Italy) ,  Seravalli Luca (Institute of Materials for Electronics and Magnetism, IMEM-CNR, I-43124, Parma, Italy) ,  Babichuk Ivan S. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 03028, Kyiv, Ukraine) ,  Babichuk Ivan S. (Faculty of Intelligent Manufacturing, Wuyi University, 529020, Jiangmen, PR China) ,  Yukhymchuk Volodymyr O. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 03028, Kyiv, Ukraine) ,  Li Baikui (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, 518060, Shenzhen, PR China) ,  Qu Junle (Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, 518060, Shenzhen, PR China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 136  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)MoS_2は,独特の光学的および電気的特性を有し,ナノオプトエレクトロニクスにおいて多くの実用的応用を有する。Raman分光法はMoS_2の単分子層を容易に同定できるが,数層構造における層の数の明確な決定は困難な課題のままである。本研究では,単層および数層MoS_2結晶のスペクトルにおける面内および面外振動から生じる最も強いバンドの周波数の修正を,Raman散乱法を用いて実験的に研究し,層間相互作用ならびに層内の非調和相互作用の影響を考慮して理論的に解析した。実験スペクトルと理論的シミュレーションの間の良好な一致を示し,数層MoS_2の厚さを推定し,また,中間層と非調和相互作用のパラメータを決定した。2D MoS_2におけるFermi共鳴の可能な効果と基本モードの対応する周波数シフトを考察した。提案した理論的手法を用いて,Ramanスペクトルを解析し,他の2D層状材料に対する層間相互作用,調和性,および層数を推定した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  *Ramanスペクトル ,  基準モード ,  シミュレーション ,  *相互作用 ,  電気的性質 ,  Fermi共鳴 ,  単分子層 ,  *スペクトル ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  周波数シフト ,  面外振動 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： *層間相互作用 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： MoS_2 ,  2D材料 ,  Ramanスペクトル ,  非調和性 ,  層間相互作用 ,  Fermi共鳴

分類 (2件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ramanスペクトル ,  非調和性 ,  層間相互作用 ,  計算 ,  研究