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J-GLOBAL ID：202202212675618963   整理番号：22A0553324

繰返しUIS応力下の並列接続4H-SiC MOSFETの劣化に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on the Degradations of Parallel-Connected 4H-SiC MOSFETs Under Repetitive UIS Stresses

著者 (9件)： Mao Hua (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Qiu Guanqun (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Jiang Xiaofeng (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Jiang Huaping (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Zhong Xiaohan (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Tang Lei (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Zhang Yifu (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Ran Li (State Key Laboratory of Power Transmission Equipment and System Security and New Technology, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Wu Yuping (State Grid Jibei Electric Power Co., Ltd., Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 2  ページ： 650-657  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不均一条件での並列デバイスは,不均等なエネルギー分布のため,全体的に信頼性の低下や故障さえ容易に誘導できる。特に長期アバランシェ応力の下では,デバイスの劣化は電気的パラメータと性能に大きな影響を与える可能性がある。並列接続炭化ケイ素(SiC)MOSFETの劣化傾向と劣化機構を研究するために,反復非クランプ誘導スイッチング(UIS)実験を,本論文で実行した。技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションを利用して,アバランシェ中のチップの温度変化と電流分布をシミュレーションした。結果は,平面とトレンチデバイスのために,電気パラメータドリフトが反復アバランシェの間に異なることを示した。劣化速度は,異なるケース温度の並列デバイスでは不等である。ホットホール注入とゲート酸化物と金属エージングにおけるトラッピングを含む2つの劣化機構は,反復アバランシェプロセスを支配することが分かった。この知見は,デバイス応用における並列反復アバランシェの分解のより良い理解に役立つ。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  正孔 ,  CAD【計算機】 ,  信頼性 ,  電流分布 ,  *MOSFET ,  *劣化 ,  炭化ケイ素 ,  *並列接続 ,  エネルギー分布 ,  温度変動 ,  ホットキャリア
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  ゲート酸化膜 ,  ホットホール ,  TCAD ,  トラッピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応力 ,  並列接続 ,  4H-SiC ,  MOSFET ,  研究