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J-GLOBAL ID：202202213174107775   整理番号：22A0478054

強化熱電発電のためのSbドープSnSeにおける二重電荷極性スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Double charge polarity switching in Sb-doped SnSe for enhanced thermo-electric power generation

著者 (8件)： Dona Joseph (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Archana J. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Kamalakannan S. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Prakash M. (Department of Chemistry, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Hara K. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Harish S. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Navaneethan M. (Functional Materials and Energy Devices Laboratory, Department of Physics and Nanotechnology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India) ,  Navaneethan M. (Nanotechnology Research Centre (NRC), Faculty of Engineering and Technology, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur 603 203, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 899  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋およびアンチモン(Sb)ドープセレン化スズ(SnSe)を真空融解とそれに続くボールミル処理プロセスによって調製した。ドープ試料と非ドープ試料の結晶学的パターンは,不純物のない斜方晶系SnSeの形成を示した。SnSeに対するSbの影響を,投影密度(PDOS)および電子密度解析により確認した。元素プローブマイクロアナライザ(EPMA)技術を用いて,均一分布と共にSn,SeおよびSb元素の存在を確認した。HR-TEM顕微鏡写真は,試料の高い結晶性と欠陥と識別可能な結晶粒と結晶粒界の形成を明らかにし,600Kで0.55W/mKまで10wt%SbドープSnSe試料の熱伝導率を減少させるのを助ける。Seebeck係数分析はSb置換試料における二重電荷極性スイッチングを明らかにした。したがって,10wt%SbドープSnSe試料は,熱電素子におけるブレークスルーである純粋なSnSeに関して同等の負のSeebeck係数を達成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  *電荷 ,  電子密度 ,  熱伝導率 ,  不純物 ,  *熱電発電 ,  *アンチモン ,  *ドーピング ,  結晶度 ,  熱電素子 ,  結晶粒 ,  斜方晶系 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  一様分布 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フォノン散乱 ,  アンチモン ,  ナノ構造化 ,  結晶粒界 ,  SbドープSnSe

分類 (3件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強化 ,  熱電発電 ,  Sb ,  ドープ ,  電荷 ,  極性スイッチング