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J-GLOBAL ID：202202213201287608   整理番号：22A1065669

無機立方晶FrBX_3(B=Ge,Sn;X=Cl,Br,I)ペロブスカイトの構造,弾性および光電子特性:密度汎関数理論アプローチ【JST・京大機械翻訳】

Structural, elastic and optoelectronic properties of inorganic cubic FrBX₃ (B = Ge, Sn; X = Cl, Br, I) perovskite: the density functional theory approach

著者 (3件)： Hasan Nazmul (Department of Electrical and Computer Engineering, North South University, Dhaka 1229, Bangladesh) ,  Arifuzzaman Md ,  Kabir Alamgir
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 12  号： 13  ページ： 7961-7972  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機金属-ハロゲン化物立方晶ペロブスカイト半導体は,光起電力および光電子デバイスの工業的応用においてより一般的になってきた。種々のペロブスカイトの中で,無鉛材料は環境に対する非毒性効果のために現在最も研究されている。本研究では,鉛フリー立方晶ペロブスカイト材料FrBX_3(B=Ge,Sn;X=Cl,Br,I)の構造的,電子的,光学的および機械的性質を第一原理密度汎関数理論(DFT)計算により調べた。これらの材料は,直接バンドギャップエネルギーと機械的相安定性を有する半導体挙動を示すことが分かった。バンドギャップの観察された変化を,FrBX_3化合物のBおよびXサイト上に位置するカチオンおよびアニオンの置換に基づいて説明した。高い吸収係数,低い反射率,および高い光学伝導率は,これらの材料を光起電力および他の光電子デバイス応用に適している。BサイトにGe(ゲルマニウム)を含む材料はSn含有材料よりも高い光吸収と伝導率を有することが観察された。電子,光学,および機械的性質の系統的解析は,全てのペロブスカイト材料の中で,FrGeI_3がオプトエレクトロニクス応用の有望な候補であることを示唆する。放射性元素Fr含有ペロブスカイトFrGeI_3は,X線イメージング技術のような核医学と診断への応用がある。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  光起電力 ,  半導体 ,  光吸収 ,  エネルギー ,  *スズ ,  計算 ,  アニオン ,  オプトエレクトロニクス ,  *立方晶系 ,  *密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  *光電子
準シソーラス用語： 無鉛材料 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 立方晶 ,  Sn ,  Br ,  ペロブスカイト ,  弾性 ,  光電子 ,  密度汎関数理論