文献

J-GLOBAL ID：202202213202460865   整理番号：22A0976335

フレキシブル,Cdフリー,およびオールドライプロセスCu(In,Ga)(S,Se)_2太陽電池の光起電力性能に及ぼすスパッタZn_1-xMg_xO:Al透明電極のMg含有量影響【JST・京大機械翻訳】

Mg Content Impact of a Sputtered Zn_1-xMg_xO:Al Transparent Electrode on Photovoltaic Performances of Flexible, Cd-Free, and All-Dry-Process Cu(In,Ga)(S,Se)₂ Solar Cells

著者 (7件)： Chantana Jakapan (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, Shiga, Japan) ,  Chantana Jakapan (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, Shiga, Japan) ,  Kawano Yu (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, Shiga, Japan) ,  Nishimura Takahito (Ritsumeikan Global Innovation Research Organization, Ritsumeikan University, Shiga, Japan) ,  Mavlonov Abdurashid (Ritsumeikan Global Innovation Research Organization, Ritsumeikan University, Shiga, Japan) ,  Negami Takayuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, Shiga, Japan) ,  Minemoto Takashi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, Shiga, Japan)
資料名： ACS Applied Energy Materials  (ACS Applied Energy Materials)
巻： 5  号： 2  ページ： 2270-2278  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5032A  ISSN： 2574-0962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステンレス鋼(SUS)基板上のフレキシブル,Cdフリー,および全乾燥プロセスCu-(In,Ga)-(S,Se)_2(CIGSSe)太陽電池の開発を,スパッタZn_0.84Mg_0.16OバッファおよびスパッタZn_1-xMg_xO:Al透明導電性酸化物(TCO)を用いて行った。ΔE_C-TAと呼ばれるCIGSSe吸収体とZn_1-xMg_xO:Al TCO層の間の伝導バンド最小(E_C)差を,変換効率(η)を高めるための有望なパラメータとして調べた。光電子収率分光法によれば,Zn_1-xMg_xO:Alの実際の価電子帯最大値(E_V)は,0から0.19までのMg含有量増加の下で-7.54から-7.57eVまでほぼ一定であり,バンドギャップ(E_g)はそれぞれ約3.5から3.9eVに変化した。すなわち,Zn_1-xMg_xO:AlにおけるMg含有量変化は,主にE_C値を変化させ,それによってΔE_C-TAの調整をもたらした。ΔE_C-TAがηの増加に重要な役割を果たすことを明らかにした。理論的結果において,高性能に対する最適化ΔE_C-TAは+0.07から+0.57eVの範囲であった。実験結果において,η値は13.7%から-0.06eVのΔE_C-TA(ZnO:Al TCOに対して)から16.1%(Zn_1-xMg_xO:Al TCOに対して+0.16eVから+0.22eV(Zn_1-xMg_xO:Al TCOに対して)は0.12から0.16まで)で,理論的結果と良く整合した。”Zn_1-xMg_xO:Al TCOに対して,そのη値は,13.7%から16.1%まで明確に強化された。”.”結果”は,13.7%から16.1%(最大η 16.5%)まで,最適ΔE_C-TAで,16.1%から16.1%(Zn_1-xMg_xO:Al TCOに対して)で,最適ΔE_C-TAは,理論値と良く整合した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *光起電力 ,  最適化 ,  *太陽電池 ,  *カドミウム ,  *マグネシウム ,  酸化物 ,  ステンレス鋼 ,  伝導バンド ,  乾式法 ,  価電子バンド ,  *透明電極 ,  吸収体 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  透明導電性酸化物 ,  理論値 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フレキシブルでCdを含まないCu(InGa)(SSe)_2薄膜太陽電池 ,  オールドライプロセス ,  Zn_1-xMg_xO:Al TCO ,  キャリア再結合速度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (12件)： Cd ,  ドライプロセス ,  Cu ,  Ga ,  Se ,  太陽電池 ,  光起電力 ,  スパッタ ,  Al ,  透明電極 ,  Mg ,  含有量