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J-GLOBAL ID：202202213247714926   整理番号：22A0799212

グラフェン様酸化亜鉛(g-ZnO)構造の構造的,電気的および光学的性質に及ぼす高圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of high pressure on structural, electrical, and optical properties of graphene-like zinc oxide (g-ZnO) structure

著者 (11件)： Nazir Muhammad Azhar (Department of Physics, Faculty of Science, University of Lahore, Lahore, Pakistan) ,  Nazir Muhammad Azhar (Department of Physics, Faculty of Science, University of Agriculture, Faisalabad, Pakistan) ,  Mahmood Tariq (Department of Physics, Government College Women University, Sialkot, Pakistan) ,  Akhtar Naeem (Department of Physics, Faculty of Science, University of Lahore, Lahore, Pakistan) ,  Hussain Kashif (Department of Physics, Division of Science and Technology, University of Education, Lahore, Pakistan) ,  Khan Waheed S. (National Institute for Biotechnology and Genetic Engineering, Faisalabad, Pakistan) ,  Waqar Muhammad Asad (Department of Physics, Riphah Institute of Computing & Applied Sciences (RICAS), Lahore, Pakistan) ,  Aleem Fazal-E (Department of Physics, Faculty of Science, University of Lahore, Lahore, Pakistan) ,  Saeed Aamir (Department of Physics, Division of Science and Technology, University of Education, Lahore, Pakistan) ,  Fareed-Un-Nabi Saqi Muhammad (Department of Physics, Faculty of Science, University of Lahore, Lahore, Pakistan) ,  Raza Jafar (Department of Physics, Faculty of Science, University of Agriculture, Faisalabad, Pakistan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 142  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンにおけるゼロバンドギャップの課題を促進する最も効率的な戦略の一つは,周囲条件下で固有の電子バンドギャップと調整可能な特性を有するグラフェン状材料を発見することである。幸いなことに,酸化亜鉛(ZnO)は,自然に存在する電子バンドギャップを有するグラフェン状構造を提供するそのような材料の例であり,その元のフォーマットにおいても優れた特性を提供する。この動機に触発されて,本研究では,環境および高圧条件でのグラフェン状酸化亜鉛(g-ZnO)構造の構造的,電子的および増強された光学的性質を包括的に調査した。その結果,g-ZnOは直接バンドギャップ半導体材料であり,そのバンドギャップ値は静水圧(0~50GPa)の影響下でより高い範囲に調整できることが分かった。さらに,圧力誘起光学パラメータを,実験測定と良く一致した。最後に,本研究では,g-ZnOにおけるバンドギャップ同調性について,バンドギャップ関連問題および光電子および光起電力応用におけるこの材料に対する新しい機会を動機づけた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高圧 ,  *光学的性質 ,  光起電力 ,  半導体材料 ,  静水圧 ,  *酸化亜鉛 ,  同時性 ,  太陽光発電 ,  バンドギャップ ,  光電子 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 環境条件 ,  光学パラメータ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 固有バンドギャップ ,  環境条件 ,  半導体材料 ,  静水圧 ,  太陽光発電の応用

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  酸化亜鉛 ,  ZnO ,  光学的性質 ,  高圧