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J-GLOBAL ID：202202213483566999   整理番号：22A0900740

Si_3N_4界面層を添加後のSb_2Se_3太陽電池の効率向上【JST・京大機械翻訳】

Efficiency enhancement of a Sb₂Se₃ solar cell after adding a Si₃N₄ interface layer

著者 (9件)： Feng Zhengdong (School of Microelectronics and Control Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center for Photovoltaic Science and Engineering, Jiangsu Province Cultivation Base for State Key Laboratory of Photovoltaic Science and Technology, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Liu Jingjing (School of Materials Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Su Jian (School of Microelectronics and Control Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center for Photovoltaic Science and Engineering, Jiangsu Province Cultivation Base for State Key Laboratory of Photovoltaic Science and Technology, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Tian Huijun (School of Microelectronics and Control Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center for Photovoltaic Science and Engineering, Jiangsu Province Cultivation Base for State Key Laboratory of Photovoltaic Science and Technology, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Guo Huafei (School of Microelectronics and Control Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center for Photovoltaic Science and Engineering, Jiangsu Province Cultivation Base for State Key Laboratory of Photovoltaic Science and Technology, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Zhang Shuai (School of Materials Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Qiu Jianhua (School of Microelectronics and Control Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center for Photovoltaic Science and Engineering, Jiangsu Province Cultivation Base for State Key Laboratory of Photovoltaic Science and Technology, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Yuan Ningyi (School of Materials Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Ding Jianning (Institute of Intelligent Flexible Mechatronics, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 314  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素(Si_3N_4)はシリコンセルの調製に必須であり,光の吸収を増加させ,不動態化効果を発揮する。Si_3N_4は優れた熱安定性と化学的不活性を有し,セレン化アンチモン(Sb_2Se_3)薄膜太陽電池の光電性能の改善に使用できる。本研究では,化学浴析出により形成した硫化カドミウム(CdS)表面をマグネトロンスパッタSi_3N_4により改質した。平滑化CdS表面は,電池の充填事実と電流密度を著しく改善した。フッ素ドープ酸化スズ(FTO)/CdS/Si_3N_4(1nm)/Sb_2Se_3/Au構造の太陽電池の効率は5.51%に達した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *電池 ,  薄膜 ,  *効率化 ,  *ケイ素 ,  不動態化 ,  硫化カドミウム ,  電流密度 ,  平滑化 ,  セレン化物 ,  窒化ケイ素
準シソーラス用語： *界面層 ,  薄膜太陽電池 ,  FTO【酸化物】 ,  セレン化アンチモン ,  光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Sb_2Se_3 ,  太陽エネルギー材料 ,  薄膜 ,  Si_3N_4

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 界面層 ,  太陽電池 ,  効率向上