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J-GLOBAL ID：202202213781562517   整理番号：22A1094828

圧電応用のためのスプレー熱分解による高c軸配向ZnO薄膜の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of highly c-axis oriented ZnO thin films by spray pyrolysis for piezoelectric applications

著者 (4件)： Ramos-Serrano J.R. (Instituto de Fisica, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, 14 sur y Av. San Claudio, Apdo. Postal J-48, 72570, Puebla, Mexico) ,  Alcantara-Iniesta S. (Centro de investigacion en dispositivos semiconductores, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, 14 sur y Av. San Claudio, C.P. 72570, Puebla, Mexico) ,  Acosta-Osorno M. (Centro de investigacion en dispositivos semiconductores, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, 14 sur y Av. San Claudio, C.P. 72570, Puebla, Mexico) ,  Calixto Ma Estela (Instituto de Fisica, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, 14 sur y Av. San Claudio, Apdo. Postal J-48, 72570, Puebla, Mexico)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 144  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,c軸に優先配向した超音波スプレー熱分解(USP)法により堆積したZnO薄膜における圧電応答を調べた。膜を,X線回折(XRD),光ルミネセンス(PL),原子間力顕微鏡(AFM),および偏光解析法によって,それぞれ完全に特性評価した。結果は,より高い温度で結晶膜品質と粒径の増加を示した。さらに,平面(002)における結晶の角度分布は,XRDにおける極点図から得られ,それらはより高い温度で基板面の法線から小さな偏差を示した。その後,圧電応答を測定するために,シリコンカンチレバー上に蒸着したZnO薄膜に基づくプロトタイプを作製した。機械的変形は,一定高さで落下した金属ペレットでカンチレバーを打つことにより生成した。この方法で,圧電応答が観察され,測定され,結果は,より良い結晶性と高い抵抗率の試料が,最も強い測定圧電電圧を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  温度 ,  電圧 ,  電気抵抗率 ,  光ルミネセンス ,  片持梁 ,  酸化亜鉛 ,  *圧電気 ,  極点図 ,  結晶度 ,  偏光解析法 ,  優先配向 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *スプレー熱分解 ,  圧電応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 酸化亜鉛 ,  噴霧熱分解 ,  圧電応答

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 圧電 ,  応用 ,  スプレー熱分解 ,  c軸配向 ,  ZnO薄膜 ,  成長