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J-GLOBAL ID：202202213819238386   整理番号：22A0446065

バンド収束とDOS歪の統合によるSnTeにおける範囲性能の実現【JST・京大機械翻訳】

Realizing ranged performance in SnTe through integrating bands convergence and DOS distortion

著者 (8件)： Pang Huimei (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Zhang Xiuxiu (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Wang Dongyang (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Huang Rong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE) and Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai, 200062, China) ,  Yang Zhenzhong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE) and Department of Electronics, East China Normal University, Shanghai, 200062, China) ,  Zhang Xiao (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Qiu Yuting (Beihang School, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Zhao Li-Dong (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China)
資料名： Journal of Materiomics  (Journal of Materiomics)
巻： 8  号： 1  ページ： 184-194  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3540A  ISSN： 2352-8478  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的なIV-VI化合物として,SnTeはその類似の結晶とPbTeとのバンド構造により熱電コミュニティで広く注目されている。しかし,多数の固有のSn空孔と高い熱伝導率の両方が,広い温度範囲で固有のSnTeにおいて,劣った熱電性能をもたらす。本研究では,段階的Pb重合金化とその後のInドーピングにより,SnTeのこれらの欠点を改善した。SnTe(0~50%)へのPbのかなり広い分率は,多重効果を達成した:(a)SnTeのキャリア濃度は,マトリックス中の高溶液Pb原子を合金化することによるSn空孔の減少を通して減少する;(b)バンド構造は2つの価電子帯の収束を促進することによって最適化され,同時にSeebeck係数を強化する;(c)EDS結果と結合したHAADF-STEMは,ゲストPb原子がマトリックス中にSn原子サイトをランダムかつ均一に占有し,同時にフォノン散乱を強化することを示した。さらに,インジウムをSn_0.6Pb_0.4Te系に導入し,低媒質温度でパワーファクタをさらに拡大する共鳴状態を作成した。バンド収束とDOS歪の積分は,(Sn_0.6Pb_0.4)_0.995In_0.005Te試料で300~823Kの広い温度範囲で~0.67のかなり高いZT_aveを達成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  熱伝導率 ,  鉛 ,  インジウム ,  *スズ ,  力率 ,  ドーピング ,  媒質 ,  キャリア密度 ,  価電子バンド ,  合金化 ,  テルル化鉛
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  フォノン散乱 ,  *テルル化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱電 ,  SnTe ,  Sn空孔 ,  共鳴状態 ,  平均ZT図形

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンド ,  収束 ,  DOS ,  歪 ,  統合 ,  SnTe