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J-GLOBAL ID：202202213864610192   整理番号：22A0776898

シリコン-有機非対称金属絶縁体半導体容量試験構造の電気的および物理的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Electrical & Physical Characterization of Silicon-Organic Asymmetrical Metal Insulator Semiconductor Capacitive Test Structure

著者 (1件)： Agarwal Rajesh (Department of Electronics and Communication Engineering, SRM Institute of Science and Technology, Kattankulathur, Tamilnadu, India)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 3  ページ： 1315-1327  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 移動度,閾値電圧,電流推定,デバイス不均一性マッピングなどを含むデバイス特性の評価を容易にするために,チャネルの長さまたはチャネルの内側/外側にプローブを持つ特殊化試験構造のトランジスタ構造の完全な製作なしに,デバイス不均一性マッピングなどを,基本的な2端子,シリコン-有機非対称金属-絶縁体-半導体(SO-AMIS)容量構造の容量-電圧(C-V)特性に及ぼす電気的および物理的パラメータの影響を調べた。SO-AMIS試験構造は,トップ端末がボトムゲート端子よりもかなり小さい規則的MIS構造の修正再認である。この例外的に非対称なSO-AMIS構造のC-V特性は,チャネルへの電荷キャリアの分散と,任意の周波数におけるチャネル特性に依存する。測定したインピーダンスに対する接触抵抗の影響は,小さな測定周波数および/または大きな電圧を選択することにより,測定キャパシタンスに寄与する有効チャネル長が実質的に大きいので,最小である。二次元数値シミュレーション結果を実行し,ペンタセンベースSO-AMIS試験構造の性能に対する臨界デバイスパラメータの影響を概観した。温度依存性調査をさらに行い,試験構造とそのモデルの研究を詳述した。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MIS構造 ,  インピーダンス ,  接触抵抗 ,  電圧 ,  電流 ,  トランジスタ ,  *半導体 ,  *ケイ素 ,  温度依存性 ,  *非対称性 ,  静電容量 ,  端末装置 ,  二次元
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 静電容量 ,  キャラクタリゼーション ,  電気 ,  MIS ,  シリコン

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  非対称 ,  絶縁体 ,  試験 ,  物理 ,  キャラクタリゼーション