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J-GLOBAL ID:202202213932911022   整理番号:22A0732600

室温X線およびγ線分光法のためのMo/4H-SiC Schottkyダイオード【JST・京大機械翻訳】

Mo/4H-SiC Schottky diodes for room temperature X-ray and γ-ray spectroscopy
著者 (5件):
資料名:
巻: 1027  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0208B  ISSN: 0168-9002  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Mo/4H-SiC Schottkyダイオードを,光子計数X線とγ線スペクトロスコピーにおけるそれらの適合性のための検出器として研究した。厚さ35μmのn-エピタキシャル層を有するSchottkyダイオードを,金属-半導体界面の均一性を改善し,漏れ電流を抑制することが示されている五酸化リン表面不動態化で処理した。1つのデバイスを低雑音電荷感受性前置増幅器と標準オンワード読出しエレクトロニクスに結合させた。得られた分光計を用いてX線とγ線スペクトルを蓄積した。分光計は,5.9keVで1.67keV±0.08keV(97e-rms±5e-rms)のエネルギー分解能を持ち,59.54keVで1.6keV±0.1keV(93e-rms±6e-rms)であった。達成された中程度のエネルギー分解能にもかかわらず,結果は,Mo/4H-SiC Schottkyダイオード検出器の漏れ電流が,室温での最適操作条件での分光計のエネルギー分解能を制限する雑音の支配的源ではないことを示唆した。前置増幅器(迷誘電体を含む)の入力および4H-SiC(固有特性)の比較的大きい平均電子-正孔対生成エネルギーへの近接性誘電体は,エネルギー項における達成エネルギー分解能に対する主な寄与因子であった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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放射線検出・検出器  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 

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