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J-GLOBAL ID：202202213985837915   整理番号：22A0839782

直流摩擦発電機のための界面設計の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of interfacial design for direct-current tribovoltaic generators

著者 (9件)： Xu Xiyan (Engineering Research Center for Nanophotonics & Advanced Instrument, Ministry of Education, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai 200241, China) ,  Li Jun (College of Electronics and Information Engineering, Tongji University, 4800 Caoan Road, Shanghai 201804, China) ,  Tao Xinglin (Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yan Qi (Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Wu Han (Engineering Research Center for Nanophotonics & Advanced Instrument, Ministry of Education, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai 200241, China) ,  Guan Zhengxin (Engineering Research Center for Nanophotonics & Advanced Instrument, Ministry of Education, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai 200241, China) ,  Liu Liqiang (College of Electronics and Information Engineering, Tongji University, 4800 Caoan Road, Shanghai 201804, China) ,  Chen Xiangyu (Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Ou-Yang Wei (Engineering Research Center for Nanophotonics & Advanced Instrument, Ministry of Education, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, 500 Dongchuan Road, Shanghai 200241, China)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 94  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新たに発見された物理現象として,トライボボルタク効果は,様々な分野で潜在的用途を有する。ここでは,導体-半導体(C-S)構造を用いて,トライボボルト発電機の界面特性と出力性能の間の関係を系統的に研究した。いくつかの類似物理モデルに基づいて,トライボボルタク発電機の性能に及ぼす接触面積,負荷力および半導体の表面状態の密度の影響を定量化する方程式を導いた。実験結果は理論解析と良く一致した。さらに,摩擦体積効果に対する界面電場と界面磁場の寄与をそれぞれ議論した。エピタキシャルシリコン(Si)膜を用いることにより,C-S界面近くのビルトイン電場を制御でき,トライボボルタク電荷の再結合効果の抑制につながり,トライボボルタク発電機の短絡電流は66.83%増加した。本研究は,将来のフレキシブルDCトライボボルタク発電機の電極設計とより良い出力性能の道を開く。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  再結合 ,  磁場 ,  電圧 ,  電荷 ,  電場 ,  半導体 ,  *摩擦 ,  特性 ,  *発電機 ,  短絡電流 ,  面積 ,  *直流 ,  導体
準シソーラス用語： 接触面積 ,  物理モデル ,  界面特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 摩擦電圧効果 ,  フレキシブル ,  界面設計 ,  直流電流 ,  摩擦発電装置

分類 (1件)： 潤滑一般  (QB02010S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 直流 ,  摩擦 ,  発電機 ,  界面 ,  設計 ,  研究