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J-GLOBAL ID:202202214125765628   整理番号:22A0986845

可視光下での光触媒水分解のための2次元四面体[数式:原文を参照](X=P,As,Sb)半導体【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional tetrahexagonal [Formula : see text] (X = P, As, Sb) semiconductors for photocatalytic water splitting under visible light
著者 (3件):
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巻:号:ページ: 035402  発行年: 2022年 
JST資料番号: W3690A  ISSN: 2475-9953  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,四角形および六角形([数式:原文を参照],AsおよびSb)の秩序配列を有する二次元グループV炭化物のファミリーを導入した。th-[数式:原文を参照]単分子層は,強いエネルギー,動的,熱的および機械的安定性を示すことを実証した。著者らの計算は,th-[数式:原文を参照]族の固有構造異方性が,強い異方性機械的,電子的および光学的挙動を誘起することを示した。これらの単分子層はグラフェンに匹敵する超極限引張強度を提供し,電子および光学特性の歪工学に適している。それらは本質的に半導体であり,そこでは,[数式:原文を参照],th-[数式:原文を参照],およびth-[数式:原文を参照]は,それぞれ,準直接,および間接バンドギャップを有する。th-[数式:原文を参照]とth-[数式:原文を参照]のバンドギャップは,水の分裂に必要な光生成エネルギーを提供するために十分広い。また,バンドエッジの位置は,水の酸化と還元電位と整合する。しかし,[数式:原文を参照]では,バンドギャップの適切な幅と光触媒水分解のための適切なバンド端位置が,歪工学によって達成される。間接対間接および直接間接バンドギャップ遷移は,歪工学により[数式:原文を参照]化合物で誘導できる。[数式:原文を参照]単分子層は異方性の高い電荷キャリア移動度を提供し,電荷キャリアドリフトの平均寿命を長くする。それらは,光スペクトルの可視および紫外領域で良好な光吸収([数式:原文を参照])を有する。[数式:原文を参照]BSE(Bethe-Salpeter方程式)計算は,それらが,最初の明るい励起子結合エネルギーが,それぞれ,[数式:原文を参照],th-[数式:原文を参照],およびth-[数式:原文を参照]に対して,0.27,0.52,および0.22eVと計算された強い励起子効果を示すことを明らかにした。1つのパッケージでこれらのすべての特徴を持つと,[数式:原文を参照]単分子層は,高性能光触媒水分解のための最良の候補である。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体結晶の電子構造  ,  分子の電子構造 

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