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J-GLOBAL ID：202202214147467874   整理番号：22A0958409

Ag/VO_2(B)/SiO_x/n++Si RRAMにおけるバイポーラ抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Bipolar resistive switching in Ag/VO₂(B)/SiO_x/n⁺⁺Si RRAM

著者 (6件)： Li Jiaping (College of Science and Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, Donghua University, Shanghai 201620, People’s Republic of China) ,  Zhou Xin (College of Science and Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, Donghua University, Shanghai 201620, People’s Republic of China) ,  Xu Liu (College of Science and Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, Donghua University, Shanghai 201620, People’s Republic of China) ,  Wang Jiale (College of Science and Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, Donghua University, Shanghai 201620, People’s Republic of China) ,  Wu Binhe (College of Science and Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, Donghua University, Shanghai 201620, People’s Republic of China) ,  Wang Chunrui (College of Science and Shanghai Institute of Intelligent Electronics and Systems, Donghua University, Shanghai 201620, People’s Republic of China)
資料名： Materials Research Express  (Materials Research Express)
巻： 9  号： 3  ページ： 035003 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5570A  ISSN： 2053-1591  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非揮発性抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)はフラッシュメモリに対する可能な代替として推進されているが,最適な材料システムおよび洗練された製作技術は,実際の経路における利用を妨げている。ここでは,金属/酸化物/半導体(MOS)構造化Ag/VO_2(B)/SiO_x/n++Si RRAMの直接作製を,バイポーラ抵抗スイッチング挙動が得られ,系統的に研究した液滴被覆プロセスを通して実証した。RRAMデバイスは良好なサイクル対サイクル耐久性(>30サイクル)と高いオン/オフ比(>60)を示した。スイッチング機構を提案し,Ag/SiO_x/n++Si,Ag/VO_2(B)/SiO_x/n++Si素子の抵抗スイッチング挙動,及び電場の適用前後の対応するSEM画像を比較し,Ag/VO_2(B)-NaCl/SiO_x/n++SiデバイスにおけるNaCl障壁層の導入により確認した。本研究は,複雑な製作技術の助けなしに,超高密度抵抗メモリデバイスを作製する便利な経路であり,また,RRAMのための新しい潜在的材料システムを提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 液滴 ,  記憶装置 ,  スイッチング ,  *電場 ,  半導体 ,  酸化物 ,  被覆 ,  塩化ナトリウム ,  耐久性 ,  非揮発性 ,  フラッシュメモリ
準シソーラス用語： バリア層 ,  *抵抗スイッチング ,  *ReRAM ,  SEM画像 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ag ,  RRAM ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング