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J-GLOBAL ID：202202214236167869   整理番号：22A0462623

窒化ガリウム高Electron移動度トランジスタによる2モード動作相互コンダクタンスレギュレータのシミュレーションと実装【JST・京大機械翻訳】

Simulation and implementation of a two-mode-operation transconductance regulator with a Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor

著者 (2件)： Pai Kai-Jun (Undergraduate Program of Vehicle and Energy Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei City, Taiwan, ROC) ,  Lin Chang-Hua (Department of Electrical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei City, Taiwan, ROC)
資料名： International Journal of Circuit Theory and Applications  (International Journal of Circuit Theory and Applications)
巻： 50  号： 1  ページ： 197-213  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0341B  ISSN： 0098-9886  CODEN： ICTACV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広帯域幅演算増幅器を有するGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を採用して,2モード操作相互コンダクタンスレギュレータ(TMOTR)を実用化し開発した。提案したTMOTRを用いて,連続波レーザまたはパルス幅変調(PWM)を満たすため,連続定電流モードでレーザダイオードを動作させ,狭パルスレーザを実現した。レーザダイオードをPWMモードと高周波で動作させると,GaN HEMT,レーザダイオード,プリント回路基板,および電力ワイヤの寄生素子は,これらの寄生素子が,狭いパルスデューティサイクル減少をもたらすレーザダイオード駆動電流の上昇エッジ勾配に影響を及ぼすことができるので,考慮されなければならない。本研究では,デバイスパッケージに従って寄生パラメータを決定するために,GaN HEMTとレーザダイオードの等価回路モデルを適用した。したがって,その寄生要素によるTMOTRのシミュレーション回路は,重要なシミュレーション波形を得るために実行することができた。レーザダイオードとGaN HEMTの寄生素子パラメータを詳細に計算し,シミュレーションソフトウェアを用いてTMOTRの特性を検証した。最後に,TMOTRプロトタイプを実装し,実験波形を測定し,シミュレーション,等価回路,および動的応答を確認した。GaN HEMTとMOSFETを,それらの差異を比較するために実験した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  *シミュレーション ,  等価回路 ,  *トランジスタ ,  半導体レーザ ,  電力 ,  動的応答 ,  PWM【信号】 ,  パルスレーザ ,  *窒化ガリウム ,  金属線 ,  広帯域 ,  連続波 ,  *相互コンダクタンス
準シソーラス用語： 寄生要素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 連続波 ,  GaN HEMT ,  レーザダイオード ,  相互コンダクタンス

分類 (1件)： 回路理論一般  (NA02010M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化ガリウム ,  移動度 ,  トランジスタ ,  相互コンダクタンス ,  レギュレータ ,  シミュレーション ,  実装