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J-GLOBAL ID：202202214489262706   整理番号：22A0696069

WバンドGaAsスイッチの設計に使用するためのスケーラブルなp-i-nダイオードモデリングとパラメータ抽出【JST・京大機械翻訳】

Scalable p-i-n Diode Modeling and Parameter Extraction for Use in the Design of W-Band GaAs Switch

著者 (2件)： Zhang Ao (School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai, China) ,  Gao Jianjun (School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai, China)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 69  号： 7  ページ： 7255-7262  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Wバンドスイッチ設計のためのミリ波GaAsベースp-i-nダイオードのスケーラブルモデリングとパラメータ抽出を示した。Sパラメータに基づく直接抽出法を用いて,脱埋込み試験構造なしに外因性および固有モデルパラメータを決定した。ターンオンとターンオフバイアス条件下で,モデル化した入力反射係数はGaAsベースのp-i-nダイオードの全周波数領域で測定データと良く一致した。スケーラブルな正規化規則を用いて,Wバンドp-i-nダイオードスイッチを首尾よく設計した。提案モデルの精度を検証するために,シミュレーションと測定データの間に良好な一致が得られた。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  反射率 ,  *ヒ化ガリウム ,  *モデリング ,  モデル ,  EHF波 ,  パラメータ ,  正規化 ,  ターンオン ,  周波数領域
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  *パラメータ抽出 ,  モデルパラメータ ,  *Wバンド ,  ダイオードスイッチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電動機  (NB07030U) ,  太陽光発電  (NB03090G) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： Wバンド ,  GaAs ,  設計 ,  ダイオード ,  モデリング ,  パラメータ抽出