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J-GLOBAL ID：202202214621017532   整理番号：22A0854437

45nm SOI技術における5G応用のための34%同調範囲を持つ197FoMT VCO【JST・京大機械翻訳】

A 197 FoMT VCO with 34% Tuning Range for 5G Applications in 45nm SOI Technology

著者 (3件)： Ibrahim Yahia Z. M. (Cairo University,EECE Department,Egypt) ,  Abdalla Mohamed A. Y. (Cairo University,EECE Department,Egypt) ,  Mohieldin Ahmed N. (Galala University,Faculty of Engineering,EECE Department,Egypt)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： RWS  ページ： 108-110  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,5G通信システムに対して45nmSOI技術における広い同調範囲(7.3~10.3GHz)VCOの設計を示した。VCOは,キャリア周波数から1MHzオフセットで-119.2dBc/Hzの測定位相雑音を示し,197の非常に高いFOMTを達成した。提案したVCOは0.9V電源から動作しながら15mWを消費する。本論文では,VCO位相雑音を低減するためのバイアスとともにトランジスタサイジングのための新しい設計方法論を提示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  サイジング ,  通信方式 ,  バイアス ,  *位相雑音
準シソーラス用語： *同調範囲 ,  キャリア周波数 ,  広同調範囲 ,  *第5世代移動通信システム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI技術 ,  5G ,  応用 ,  同調範囲 ,  VCO