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J-GLOBAL ID：202202214934741032   整理番号：22A0478297

静水圧効果下のFe_2TaX(X=AlおよびGa)ホイスラー合金の調整可能な間接バンドギャップ遷移【JST・京大機械翻訳】

Tunable indirect to direct band gap transition of Fe2TaX (X=Al and Ga) Heusler alloy under hydrostatic pressure effect

著者 (6件)： Jalilian Jaafar (Department of Physics, College of Sciences, Yasouj University, Yasouj, 75918-74934, Iran) ,  Rezaei Ghasem (Department of Physics, College of Sciences, Yasouj University, Yasouj, 75918-74934, Iran) ,  Vaseghi Behrooz (Department of Physics, College of Sciences, Yasouj University, Yasouj, 75918-74934, Iran) ,  Kanjouri Faramarz (Faculty of Physics, Kharazmi University, Tehran, Iran) ,  Fakhri Sheida (Young Researchers and Elite Club, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran) ,  Ramazani Ali (Department of Mechanical Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 203  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のエネルギー,熱電およびスピントロニクスのような異なる用途のための大きな可能性を有する材料の印象的なグループとしてのホイスラー化合物は,材料科学者にとって大きな関心事である。Fe_2TaAlおよびFe_2TaGa完全ホイスラー合金の動的,電子的および光学的性質を密度汎関数理論(DFT)の枠内で研究した。この原稿の主な目標は,静水圧の適用による化合物の電子および光学特性の調整である。電子結果は,両化合物が,それぞれ,約0.84と0.64eVのエネルギーギャップを有する半導体であることを示した。また,Fe_2TaAlとFe_2TaGaでは,それぞれ,5と80GPaの圧力で,直接ギャップ遷移が起こる。計算したフォノン分散は,両化合物が適用圧力の範囲で安定であることを示した。また,青色シフトは,圧力を増加させることによって,光学伝導率スペクトルに対して観察できる。結果は,言及したホイスラー合金の電子的および光学的特性を静水圧を用いて適度に調整できることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ランダム位相近似 ,  エネルギーギャップ ,  光学的性質 ,  半導体 ,  *静水圧 ,  スペクトル ,  フォノン分散 ,  密度汎関数法 ,  *ホイスラー合金 ,  材料科学 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 光学伝導率 ,  バンド間遷移 ,  *間接バンドギャップ ,  ホイスラー化合物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ホイスラー合金 ,  ギャップ方向 ,  バンド間遷移 ,  ランダム位相近似

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧効果 ,  Ga ,  ホイスラー合金 ,  間接バンドギャップ ,  遷移