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J-GLOBAL ID：202202215055361606   整理番号：22A0630636

多孔質シリコン支援ハイブリッドプラズモンスロット導波路ベースのオンチップエタノールセンサ【JST・京大機械翻訳】

Porous-Silicon Assisted Hybrid Plasmonic Slot Waveguide Based On-Chip Ethanol Sensor

著者 (2件)： Reddy Samyuktha K. (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Karnataka, Mangaluru, India) ,  Singh Mandeep (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Karnataka, Mangaluru, India)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 22  号： 3  ページ： 2062-2069  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 屈折率(RI)センサーは,生物学的および化学的分野に通じる,そして,従って有効である。吸収/センシング媒質として多孔質シリコンから成る金属-絶縁体-半導体-絶縁体-金属(MISIM)導波路構造で知覚された,赤外(IR)バンドエタノールセンサを用いて,精巧な作業アプリテータを取り上げた。モデリングにより検証され,数値シミュレーションにより,低指数スロットに閉じ込められた電場が有害なエタノールの存在下で波長の赤方偏移を受けることを示した。波長の赤方偏移は,ハイブリッド導波路のシリコン多孔性と物理的寸法を変えることによって制御できる。有限要素法ベースのCOMSOLマルチフィジックスシミュレーションを用いて,センサの最適メトリックス,すなわち感度(S_TM)=400.43Ω≦612.43nm/RIU,性能指数(FoM)=12.42≦19.46/RIU,および品質因子(Q因子)=46.8≦52.9,10%~25%p-Si多孔性を得た。また,オンチップセンサの製作段階を,簡単に関節した。詳細な評価は,このセンサが有害環境におけるエタノール検出のための実行可能な選択であることを示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  赤外線 ,  赤方偏移 ,  電場 ,  半導体 ,  *ケイ素 ,  波長 ,  媒質 ,  Q値 ,  *導波路 ,  *多孔質シリコン ,  絶縁体 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (4件)： 多孔質シリコン ,  支援 ,  プラズモン ,  スロット導波路