文献

J-GLOBAL ID：202202215178505684   整理番号：22A1058444

A=IIIB→ν_VおよびA=IIB→ν_VI半導体におけるBrillouin増幅に対するホットキャリア効果【JST・京大機械翻訳】

Hot carrier effects on Brillouin amplification in A^IIIB^V and A^IIB^VI semiconductors

著者 (3件)： Renu (Department of Physics, Singhania University, Pacheri Bari, Jhunjhunu, India) ,  Sanjay (Department of Physics, Singhania University, Pacheri Bari, Jhunjhunu, India) ,  Singh Manjeet (Department of Physics, Government College, Matanhail, Jhajjar, India)
資料名： Journal of Modern Optics  (Journal of Modern Optics)
巻： 69  号： 6  ページ： 298-308  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0250A  ISSN： 0950-0340  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AIIIBVとAIIBVI半導体におけるBrillouin増幅に及ぼすホットキャリア効果(HCEs)を研究するために,理論的定式化とそれに続く数値解析を行った。Brillouin増幅の開始の閾値条件とBrillouin細胞のBrillouin増幅を特徴付けるパラメータを推定した。パルスCO_2レーザで照射された3つの異なるBrillouinセルについて数値解析を行った。強いポンプビームのHCEsは,キャリアの運動量移動衝突周波数を改変し,その結果,Brillouin媒質の非線形性は,(i)閾値強度を低下させ,(ii)Brillouin増幅を特徴付けるパラメータを強化し,(iii)Brillouin利得スペクトルが磁場のより小さな値に向かってシフトし,(iv)Brillouin利得スペクトル(約共鳴)のピークが,磁場の範囲を広める。解析におけるHCEsの導入は,効率的なBrillouin増幅器の作製のための適切なBrillouin媒質の選択を検証した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 運動量移動 ,  共鳴 ,  磁場 ,  閾値 ,  数値解析 ,  増幅器 ,  *半導体 ,  *キャリア ,  スペクトル ,  媒質 ,  非線形性 ,  パルス ,  *ホットキャリア ,  パラメータ ,  定式化
準シソーラス用語： 利得スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Brillouin増幅 ,  Brillouinセル効率 ,  ホットキャリア効果 ,  A=IIIB→νν_VおよびA_ IIB→ν_VI半導体

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  Rayleigh散乱とBrillouin散乱  (BM08070O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 増幅 ,  ホットキャリア