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J-GLOBAL ID：202202215312428404   整理番号：22A0004986

CuドープMoSe_2上のH_2SとSO_2吸着:DFT研究【JST・京大機械翻訳】

H₂S and SO₂ adsorption on Cu doped MoSe₂: DFT investigation

著者 (1件)： Ayesh Ahmad I. (Physics Program, Department of Math., Stat. and Physics, College of Arts and Sciences, Qatar University, P. O. Box 2713, Doha, Qatar)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 422  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化水素と二酸化硫黄は高度に有害なガスであり,従って,それらの吸着のための高感度で選択的な材料の開発が望まれる。第一原理密度汎関数理論(DFT)計算を用いて,H_2SとSO_2ガスの両方の吸着に及ぼすMoSe_2のCuドーピングの影響を調べた。バンドギャップ,吸着距離,吸着エネルギー,状態密度および電荷移動を詳細に検討した。結果は,CuによるドーピングによるMoSe_2のH_2SとSO_2ガスに対する電子物性と吸着の著しい変化を示す。結果は,MoSe_2系へのH_2SとSO_2ガスの両方の吸着を増強するCuドーピング時の状態密度とバンドギャップの顕著な変化を明らかにした。それにもかかわらず,Cu修飾MoSe_2系はH_2Sに対してより高い吸着エネルギーを示し,SO_2と比較してより高い感度を示した。結果は,Cu修飾MoSe_2系がH_2Sガスセンサ応用に対して成功裏に応用できることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  電荷移動 ,  *銅 ,  硫化水素 ,  *ドーピング ,  二酸化硫黄 ,  状態密度 ,  高感度 ,  ガスセンサ ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  第一原理 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 電子物性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoSe_2 ,  H_2S ,  SO_2 ,  DFT ,  ガスセンサー

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  ドープ ,  吸着 ,  DFT ,  研究