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J-GLOBAL ID:202202215379615587   整理番号:22A0324670

グラフェンナノシート上のg-C_3N_4/炭素ヘテロ構造のin-situ構築:先進リチウム-硫黄電池のための効率的なポリスルフィド障壁【JST・京大機械翻訳】

In-situ construction of g-C3N4/carbon heterostructure on graphene nanosheet: An efficient polysulfide barrier for advanced lithium-sulfur batteries
著者 (13件):
資料名:
巻: 578  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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リチウム-硫黄電池(LSB)は,高いエネルギー密度(2600Whkg-1),エコ優しさおよび低コストの利点を有する将来の潜在的エネルギー貯蔵システムと考えられている。しかし,ポリスルフィドの貧弱な伝導率と重大なシャトル効果は,それらの応用をブロックする。ここでは,グラフェンナノシート(PCNG)上のg-C_3N_4/炭素ヘテロ構造をフェニル修飾戦略およびその場熱重縮合により構築し,優れた硫黄固定化能および良好な電気伝導性を有するユニークな電子雲分布を有した。結果として,単純なS/CカソードとPCNG中間層を有するLi-S電池は,0.1Cで1192mAhg-1の高い初期容量と800サイクル後にサイクル当たり0.050%の遅い容量減衰を有する超長寿命を示した。PCNG/PPセパレータを有するセルも,7mgcm-2の高面積硫黄負荷で安定したサイクル性能を有する。これらの知見から,Li-S電気化学への応用のためのg-C_3N_4を官能化する新しい見解が得られた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光化学一般  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

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