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J-GLOBAL ID：202202215430350569   整理番号：22A0976626

ニューロモルフィック計算のためのBaTiO_3/Nb:SrTiO_3エピタキシャルヘテロ接合に基づく閾値スイッチングメモリスタ【JST・京大機械翻訳】

Threshold Switching Memristor Based on the BaTiO₃/Nb:SrTiO₃ Epitaxial Heterojunction for Neuromorphic Computing

著者 (3件)： Liu Peilin (Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Center for Topological Functional Materials, Henan University, People’s Republic of China) ,  Jia Caihong (Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Center for Topological Functional Materials, Henan University, People’s Republic of China) ,  Zhang Weifeng (Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Center for Topological Functional Materials, Henan University, People’s Republic of China)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 3  ページ： 982-989  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au/Cr/BaTiO_3/Nb:SrTiO_3/In系において,高再現性閾値スイッチングを見出した。コンプライアンス電流と測定温度に対する閾値と保持電圧の依存性に基づいて,閾値スイッチングは酸素空孔導電性フィラメントの形成/破壊に起因する。生物学的シナプスの短期シナプス可塑性は,このデバイスでうまくシミュレートされている。さらに,短期の沈降は,小さなパルス幅/振幅/間隔において大いに増強されることが分かった。短期増強および抑制は,交互低および高周波パルスシーケンスを用いてうまく切り替えることができる。これらの結果は,ニューロモルフィックコンピューティングにおけるBaTiO_3/Nb:SrTiO_3エピタキシャルヘテロ接合の使用の可能性への洞察を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *エピタクシー ,  強誘電体 ,  スイッチング ,  電圧 ,  電流 ,  コンプライアンス ,  シナプス ,  HF【周波数】 ,  *計算 ,  パルス列 ,  フィラメント ,  パルス幅
準シソーラス用語： シナプス可塑性 ,  酸素空格子点 ,  導電性フィラメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 閾値スイッチング ,  強誘電体 ,  BTO ,  短期シナプス可塑性 ,  神経形態計算

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 計算 ,  Nb ,  エピタキシャル ,  ヘテロ接合 ,  閾値 ,  スイッチング ,  メモリスタ