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J-GLOBAL ID：202202215485096367   整理番号：22A0549601

4H-SiC Schottkyダイオードの漏れ電流に及ぼすFermiピン止めと量子機構の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of Fermi pinning and quantum mechanisms on leakage current of 4H-SiC Schottky diodes

著者 (4件)： Baum I. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA) ,  Darmody C. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA) ,  Cui Y. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA) ,  Goldsman N. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 3  ページ： 035703-035703-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC Schottkyダイオードによる逆バイアス漏れ電流を量子透過理論を用いてモデル化し,理論的に計算した値を製作したSchottkyダイオードの測定値と比較した。界面欠陥を説明するために,以前に観察された欠陥からのFermiピン止めによるエネルギー障壁を,Schottky-Mott則によって予測された理想的な障壁構造の代わりに用いた。既知の欠陥エネルギーでのFermiピン止めによるエネルギー値セットによる障壁の取り込みは,多くの桁でより良い実験的一致をもたらした。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  *漏れ電流 ,  *ピン止め
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  逆バイアス ,  エネルギー障壁 ,  界面欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  Schottkyダイオード ,  漏れ電流 ,  ピン止め ,  量子