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J-GLOBAL ID：202202215514877510   整理番号：22A0836191

陽電子消滅による固有低ポリイミド膜のキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Characterization of intrinsic low-polyimide films studied by positron annihilation

著者 (6件)： Li Tao (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou 450002, People’s Republic of China) ,  Sun Yu (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou 450002, People’s Republic of China) ,  Dai Haiyang (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou 450002, People’s Republic of China) ,  Liu Junjie (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Chen Jing (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou 450002, People’s Republic of China) ,  Liu Dewei (School of Physics and Electronic Engineering, Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou 450002, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 278  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4種類のポリイミド(PI)膜を,二無水物モノマーとしてピロメリット酸二無水物(PMDA)および4, 4′-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物(6FDA),ジアミン単量体としてp-フェニレンジアミン(PDA),4-4′-ジアミノジフェニルエーテル(ODA)および4,4′-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス(p-フェニレンオキシ)ジアニリン(HFBDA)を用いて重縮合反応によって調製した。トリフルオロメチル基の導入は,分子間および分子内電荷移動錯体(CTC)の生成を効果的に抑制し,エネルギーギャップを改善し,PI中の自由体積を増加させ,Kapton膜と比較して,3つのフッ素化PI膜に対して,異なる程度で光学的および誘電的性質の改善をもたらした。可視領域の最大透過率は90.5%に達し,104Hzでの誘電率はPI_6FDA-HFPBDA膜に対して2.0に近かった。破壊強度は自由体積の増加により弱くなった。誘電と絶縁破壊特性と自由体積の間の相関を陽電子寿命スペクトルの助けを借りて説明した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  絶縁破壊 ,  誘電率 ,  *陽電子消滅 ,  *ポリイミド ,  重縮合 ,  フッ素化 ,  誘電性 ,  単量体 ,  スペクトル ,  透過率 ,  自由体積 ,  ジアミン ,  PMDA-ODA
準シソーラス用語： Kapton ,  可視領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ポリイミド ,  低誘電定数 ,  陽電子消滅 ,  自由体積

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 陽電子消滅 ,  固有 ,  ポリイミド膜 ,  キャラクタリゼーション