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J-GLOBAL ID：202202215593952398   整理番号：22A0704945

NdドープCe充填スクッテルダイトの電子および熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Electronic and thermoelectric properties of Nd-doped Ce-filled skutterudites

著者 (5件)： Limbu Nihal (Department of Physics, North-Eastern Hill University, Shillong 793022, India) ,  Ram Mahesh ,  Joshi Himanshu ,  Saxena Atul ,  Shankar Amit
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 7  ページ： 4533-4546  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NdドープCe充填スクッテルダイト(CeFe_4P_12,CeFe_4As_12およびCeO_4P_12)の電子および熱電特性を,フルポテンシャル線形化増強平面波(FP-LAPW)を用いて調べた。電子間の交換相関をPerdew-Burke-Ernzerhof(PBE)の一般化勾配近似により処理し,高相関系に対する電子間のCoulomb反発項(U)も考察した。エネルギーバンド構造は,CeFe_4P_12,CeFe_4As_12およびCeO_4P_12に対して,それぞれ0.42eV,0.25eVおよび0.22eVのエネルギーギャップを有する半導体的性質を明らかにした。フォノン分散曲線はCeFe_4P_12とCeO_4P_12の光学と音響モードの間の禁止ギャップを示した。純合金へのn型とp型ドーピングの解析は,純合金へのp型ドーピングにおける熱電挙動の増強を示唆し,従って,中央ケージ原子サイトでのNdの添加は,E_Fで平坦で高密度のバンドを生成し,また,ドープしたCeO_4P_12の光学バンドギャップを開いた。さらに,Nd原子は強いフォノン散乱を導入し,従って,CeFe_4P_12に対して6.79Wm-1K-1から3.47Wm-1K-1,CeFe_4As_12に対して3.63Wm-1K-1から1.97Wm-1K-1まで,そして室温でCeOs_4P_12に対して6.43Wm-1K-1から2.58Wm-1K-1まで,格子熱伝導率(K_L)を実質的に低減した。ドープしたCeFe_4P_12に対して,最高のSeebeck係数215.51μVK-1で,800Kで0.72の最高値を有するドープした試料材料に対して,かなり増幅された性能指数が観察された。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 合金 ,  半導体 ,  *セリウム ,  *ネオジム ,  *ドーピング ,  平面波 ,  音響モード ,  輸送係数 ,  室温 ,  フォノン分散 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  フォノン散乱 ,  *充填スクッテルダイト型結晶 ,  一般化勾配近似 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： Nd ,  ドープ ,  Ce ,  充填スクッテルダイト ,  電子 ,  熱電特性