文献
J-GLOBAL ID:202202215695357384   整理番号:22A0843635

WiGig応用のための4.3dBの最小NFを有する130nm SiGe HBTにおける広帯域LNAをブースティングする線形高周波[数式:原文を参照]【JST・京大機械翻訳】

A Linear High Frequency [Formula : see text] Boosting Wideband LNA in 130 nm SiGe HBT with Minimum NF of 4.3 dB for WiGig Application
著者 (3件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 2250001  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0526A  ISSN: 0218-1266  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: シンガポール (SGP)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文では,5G WiGig無線アプリケーションをターゲットとした130[数式:原文を参照]nm SiGe BiCMOS技術を用いて,0.3[数式:原文を参照]mm2の面積をもつインダクタの少ない広帯域低雑音増幅器(LNA)を示した。SiGe HBT技術において,共通ベース(CB)トランジスタの雑音寄与を低減するため,カスコードトポロジーの中間ノードで使われる[数式:原文を参照]ブースティング増幅器を,初めて使用した。数学的解析は,CBトランジスタに関する提案した高周波[数式:原文を参照]ブースティング技術が,低NFまたは高線形性のいずれかに対して最適に調整できることを示した。さらに,回路はマルチモード能力のために可変キャパシタを組み込み,4つのWiGigチャネル全てで最適性能を確実にする。回路のポストレイアウトEMシミュレーションは,得られたLNAが,56[数式:原文を参照]GHzから67.3[数式:原文を参照]GHzまでの-3dB周波数で21.08[数式:原文を参照]dBの最大利得を有することを示した。提案したLNAは4.3[数式:原文を参照]dBの最小雑音指数を示し,入力参照[数式:原文を参照]-2.7[数式:原文を参照]dBと高い線形性を示した。1.2[数式:原文を参照]Vの電源電圧を用いて操作したときに設計したとき,8.9[数式:原文を参照]mWの全dc電力を消費する。Copyright 2022 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
増幅回路 

前のページに戻る