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J-GLOBAL ID：202202215749886996   整理番号：22A0434992

La_2O_3とBi_2O_3を同時ドープしたBaTiO_3セラミックの電荷補償機構【JST・京大機械翻訳】

Charge compensation mechanisms of BaTiO₃ ceramics co-doped with La₂O₃ and Bi₂O₃

著者 (5件)： Ma Cuiying (College of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Science and Technology, Xi’an, Shaanxi, 710054, PR China) ,  Du Huiling (College of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Science and Technology, Xi’an, Shaanxi, 710054, PR China) ,  Liu Jia (College of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Science and Technology, Xi’an, Shaanxi, 710054, PR China) ,  Du Xian (College of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Science and Technology, Xi’an, Shaanxi, 710054, PR China) ,  Feng Danni (College of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Science and Technology, Xi’an, Shaanxi, 710054, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 4  ページ： 5428-5433  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピング修飾はBaTiO_3(BT)の電気的性質を改善するために一般的に使用される。本研究では,((1-x)BT-x(Bi_2O_3-La_2O_3))セラミックを合成し,AサイトでドナーとしてLa_2O_3とBi_2O_3を共ドープしたBTセラミックの電荷バランス補償機構を研究した。XRDの結果は,擬立方晶相が,ドーパントの侵入により形成されることを示した。Raman分光法は,x=0.10と0.16のサンプルが,比較的多くの酸素とチタン空孔を有することを明らかにした。酸素雰囲気中での熱処理後,x=0.10の試料の誘電率は未処理のものより高かったが,x=0.16では,ほとんど変化しなかった。これらの結果は,異なる電荷バランス補償機構がx=0.10と0.16のサンプルに存在することを示した。インピーダンス測定は,抵抗傾向が初期減少とその後の増加を示し,それぞれx=0.10と0.16で電子とイオン補償機構に導くことを示した。強誘電特性も,P_sとP_rがx=0.16よりx=0.10でより高い電荷バランス補償機構遷移を意味した。本研究はBT系セラミックスの電気的性質を調節するための新しい戦略を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  イオン ,  *セラミック ,  *電荷 ,  ドナー ,  熱処理 ,  誘電率 ,  酸素 ,  チタン ,  X線回折分析 ,  強誘電性 ,  *ドーピング ,  立方晶系 ,  *不純物補償 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 酸素雰囲気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： BaTiO_3系セラミックス ,  ドーピング改質 ,  電荷バランス補償機構 ,  Raman分光法

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  セラミック ,  電荷補償